1111外殼尺寸允許放置在靠近SiC和GaN開關(guān)等高耗散元件
發(fā)布時(shí)間:2024/2/7 22:56:34 訪問次數(shù):79
這些電容器采用濕法制造工藝用貴金屬電極(NME)技術(shù)制造而成,并采用了各種符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的終端涂層(termination finish),其中包括:具有100%鍍錫板、用于回流焊的鎳屏障(代號為“X”),用于對磁干擾敏感的應(yīng)用的無磁銅屏障(代號為“C”),以及用于導(dǎo)電環(huán)氧樹脂組件的銀鈀(代號為“E”)。VJ HIFREQ HT系列也可具有含鉛(最少4%)終端涂層(代號為“L”)。這些器件設(shè)備不含鹵素和符合Vishay Green標(biāo)準(zhǔn)(“L”終端除外)。
為了提高設(shè)計(jì)靈活性,MLCC的小型0402、0603、0805和1111外殼尺寸允許放置在靠近諸如SiC和GaN開關(guān)等高耗散元件的地方。
通過使用多種襯底和導(dǎo)電材料,集成無源工藝能制造很緊湊的、具有高品質(zhì)因數(shù)和高固有諧振頻率的電感元件,使得它們在尺寸、成本和性能等方面能與表面貼裝技術(shù)(SMT)使用的分立元件相抗衡。
這些電感的性能也超過了用單片集成電路工藝制作的片上電感,因?yàn)榘雽?dǎo)體硅襯底的損耗限制了片上電感的性能。
用于高頻RF和微波應(yīng)用的表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)---VitramonVJ HIFREQ HT系列,其工作溫度范圍可以達(dá)到+200 C。對于通信基站和國防通信系統(tǒng),Vishay 的VitramonVJ HIFREQ HT系列提供了四種緊湊型尺寸,都具有超高Q和低ESR。
對于暴露于+175°C或更高溫度的高功率通信發(fā)射器和高頻逆變器而言,設(shè)計(jì)師以前都不得不依賴僅限+150°C的MLCC。
器件工作溫度范圍達(dá)到了-55°C至+200°C,能夠在此類應(yīng)用場合提供長期的高可靠性。
這些電容器采用濕法制造工藝用貴金屬電極(NME)技術(shù)制造而成,并采用了各種符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的終端涂層(termination finish),其中包括:具有100%鍍錫板、用于回流焊的鎳屏障(代號為“X”),用于對磁干擾敏感的應(yīng)用的無磁銅屏障(代號為“C”),以及用于導(dǎo)電環(huán)氧樹脂組件的銀鈀(代號為“E”)。VJ HIFREQ HT系列也可具有含鉛(最少4%)終端涂層(代號為“L”)。這些器件設(shè)備不含鹵素和符合Vishay Green標(biāo)準(zhǔn)(“L”終端除外)。
為了提高設(shè)計(jì)靈活性,MLCC的小型0402、0603、0805和1111外殼尺寸允許放置在靠近諸如SiC和GaN開關(guān)等高耗散元件的地方。
通過使用多種襯底和導(dǎo)電材料,集成無源工藝能制造很緊湊的、具有高品質(zhì)因數(shù)和高固有諧振頻率的電感元件,使得它們在尺寸、成本和性能等方面能與表面貼裝技術(shù)(SMT)使用的分立元件相抗衡。
這些電感的性能也超過了用單片集成電路工藝制作的片上電感,因?yàn)榘雽?dǎo)體硅襯底的損耗限制了片上電感的性能。
用于高頻RF和微波應(yīng)用的表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)---VitramonVJ HIFREQ HT系列,其工作溫度范圍可以達(dá)到+200 C。對于通信基站和國防通信系統(tǒng),Vishay 的VitramonVJ HIFREQ HT系列提供了四種緊湊型尺寸,都具有超高Q和低ESR。
對于暴露于+175°C或更高溫度的高功率通信發(fā)射器和高頻逆變器而言,設(shè)計(jì)師以前都不得不依賴僅限+150°C的MLCC。
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