HV600/HV650系列硅基GaN材料采用低阻的8英寸硅襯底，通過預(yù)應(yīng)變技術(shù)解決硅襯底和GaN的熱失配問題，并根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的外延層結(jié)構(gòu)。

為滿足600V/650V耐壓需要，用超過4微米的厚膜外延生長技術(shù)。通過優(yōu)化的GaN外延晶體生長控制，解決了GaN與硅材料因晶格失配導(dǎo)致的晶圓翹曲、晶體質(zhì)量缺陷等問題。

HV600/HV650系列材料實(shí)現(xiàn)了無龜裂、低翹曲度（≤±50μm）與低表面粗糙度（≤0.3nm），滿足了8英寸功率器件的量產(chǎn)加工要求。

與N溝道MOSFET相比，P溝道MOSFET在導(dǎo)通電阻相同時(shí)成本更高，而且其選擇范圍很窄，限于較大電流值(高于10A)情況。N溝道MOSFET是應(yīng)對大電流的最佳選擇，但是需要充電泵，以提高柵極電壓，使其高于輸入電壓。

例如，12V輸入需要22V柵極電壓，即MOSFET柵極要高出輸入10V。一個(gè)電源開關(guān)電路的實(shí)現(xiàn)。

為了計(jì)算功率，必須使用通過ADC數(shù)字接口訪問ADC數(shù)據(jù)的微控制器或處理器，以實(shí)現(xiàn)電壓讀數(shù)和電流讀數(shù)相乘。要監(jiān)視能耗，需要在一定時(shí)間內(nèi)累計(jì)(相加)功率讀數(shù)。

R41Z和BMD-300系列模塊都通過了完整認(rèn)證并有配套的Rigado評估套件。

HV600/HV650采用了優(yōu)化的GaN外延缺陷控制技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)高耐壓厚膜生長的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了低位錯(cuò)密度與高晶體質(zhì)量，其XRD(002/102)半高寬分別小于400/500 arcsecs。

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