TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu)，通過穩(wěn)健的機械設(shè)計提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。

模塊設(shè)計獨到，可通過專為傳遞電流和熱量而優(yōu)化的新型電感器設(shè)計，實現(xiàn)從功率級到散熱器的高效熱量傳遞，從而使模塊在滿載時的效率較行業(yè)平均水平高出2%。

提高GPU核心的能效可以實現(xiàn)規(guī)�；娘@著節(jié)能效果。這將為計算生成式AI的數(shù)據(jù)中心節(jié)省數(shù)兆瓦的電力，進而減少二氧化碳排放量并在整個系統(tǒng)生命周期內(nèi)節(jié)省數(shù)百萬美元的運營成本。

另一種選擇是以芯片運行速度為目標，因為動態(tài)功耗會隨著頻率的增加而迅速增加。

當然，降低設(shè)備速度會直接影響性能，因此，芯片制造商通常會采用低功耗模式，在空閑時關(guān)閉性能內(nèi)核或降低內(nèi)核速度。

但一個特別難以解決的問題是電力輸送。典型的平面器件從有源層開始，包括晶體管結(jié)構(gòu)和摻雜區(qū)域。

第一層之后的下一層包括這些晶體管的柵極以及晶體管之間的關(guān)鍵互連，而在此之后的下一層是形成額外互連的第一層金屬層。每增加一層，互連的寬度和厚度都會增加，以降低功耗并提高性能。

它能提高數(shù)據(jù)中心的運行效率，在滿足AI GPU（圖形處理器單元）平臺高功率需求的同時，顯著降低總體擁有成本。

鑒于AI服務(wù)器的能耗比傳統(tǒng)服務(wù)器高出3倍，而且數(shù)據(jù)中心的能耗已超過全球能源供應量的2%，因此需要找到創(chuàng)新的功率解決方案和架構(gòu)設(shè)計來進一步推動低碳化。

TDM2254xD雙相功率模塊結(jié)合XDPTM控制器技術(shù)，具有卓越電氣、散熱和機械運行性能的高性能計算平臺帶來高效的電壓調(diào)節(jié)，為綠色AI工廠奠定了基礎(chǔ)。