半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt®反并聯(lián)二極管封裝在一起。

模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局，與34mm工業(yè)標準封裝100%兼容，可采用機械插接方式更換。

這款工業(yè)級器件可用于各種應(yīng)用的電源逆變器，包括鐵路設(shè)備；發(fā)電、配電和儲電系統(tǒng)；焊接設(shè)備；電機驅(qū)動器和機器人。

產(chǎn)品特點

行業(yè)先端的6.5W輸出功率，有助于擴展無線電通信范圍

通過針對3.6V工作電壓優(yōu)化的結(jié)構(gòu)降低導(dǎo)通電阻，提高了功率密度。

內(nèi)置兩個MOSFET芯片的封裝為3.6V無線電實現(xiàn)了無與倫比的6.5W輸出功率。

與現(xiàn)有型號*2相比，輸出功率的增加將通信范圍擴大了27%。

行業(yè)先端的65%漏極效率，實現(xiàn)低功耗

針對3.6V工作電壓的優(yōu)化，實現(xiàn)65%漏極效率。

漏極效率的提高可降低無線電功耗，從而延長運行時間。

雙MOSFET封裝，可節(jié)省空間并降低組裝成本

與兩個單芯片產(chǎn)品相比，帶有兩個MOSFET芯片的新型封裝可減少33%的空間。

兼容表面貼裝技術(shù)（SMT），可降低封裝組裝成本。

分立式FET解決方案的最新產(chǎn)品系列，Nexperia展示了我們?nèi)绾卫梦覀儗I(yè)的研發(fā)知識來提供優(yōu)化的解決方案。

高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可為工作電壓為3.6V的商用無線電提供無與倫比的功率輸出和高漏極效率。此外，內(nèi)置兩個MOSFET芯片的封裝可以節(jié)省商用無線電印刷電路板上的空間，有助于降低組裝成本。

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