充電階段N管導(dǎo)通損耗和續(xù)流階段P管導(dǎo)通損耗及恒流源的功率損耗
發(fā)布時(shí)間:2024/3/3 16:32:14 訪問次數(shù):79
CMOS的正低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),具有500毫安/1.0安的特點(diǎn),可提供高功率抑制比、高輸出電壓精度、低噪聲和低電源電流.
它由一個(gè)基準(zhǔn)電壓源、一個(gè)誤差放大器、一個(gè)用于輸出電壓設(shè)置的電阻梯組成。它還具有欠壓鎖定(UVLO)、過流/短路保護(hù)電路和過熱關(guān)機(jī)電路。
ZCC8801通常具有90mV的壓降(DFN1216-8,Iout=500mA,Vout=1.8V)和180mA的跌落電壓(DFN1216-8,Iout=1A,Vout=1.8V)和芯片啟用功能(EN),可延長(zhǎng)電池壽命。
優(yōu)良的紋波抑制、負(fù)載瞬態(tài)和線路瞬態(tài)響應(yīng)使其成為微光條件下移動(dòng)通信設(shè)備或相機(jī)模塊電源的理想選擇。它還可以在滿負(fù)荷情況下開啟,適用于惡劣的系統(tǒng)環(huán)境。
對(duì)于DFN1216-8封裝版本,ZCC8801系列LDO可通過在“H”或“L”之間交替LCON引腳來選擇輸出電流限制在1.0A或500mA之間。
芯片供電電壓偏低時(shí)芯片為維持目標(biāo)電流值會(huì)切換成BOOST模式,此時(shí)芯片損耗主要是由開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗組成,大電流應(yīng)用場(chǎng)景下開關(guān)損耗占比較小,導(dǎo)通損耗占主導(dǎo)地位,此時(shí)導(dǎo)通損耗主要是由充電階段的N管導(dǎo)通損耗和續(xù)流階段P管導(dǎo)通損耗以及恒流源的功率損耗三部分構(gòu)成.
AW36501DNR單燈應(yīng)用時(shí)可以短接LED1/LED2驅(qū)動(dòng)單顆LED燈,除了常規(guī)的單顆閃光燈應(yīng)用,雙路驅(qū)動(dòng)單燈總電流可以達(dá)到1.5A,可以滿足部分大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
CMOS的正低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),具有500毫安/1.0安的特點(diǎn),可提供高功率抑制比、高輸出電壓精度、低噪聲和低電源電流.
它由一個(gè)基準(zhǔn)電壓源、一個(gè)誤差放大器、一個(gè)用于輸出電壓設(shè)置的電阻梯組成。它還具有欠壓鎖定(UVLO)、過流/短路保護(hù)電路和過熱關(guān)機(jī)電路。
ZCC8801通常具有90mV的壓降(DFN1216-8,Iout=500mA,Vout=1.8V)和180mA的跌落電壓(DFN1216-8,Iout=1A,Vout=1.8V)和芯片啟用功能(EN),可延長(zhǎng)電池壽命。
優(yōu)良的紋波抑制、負(fù)載瞬態(tài)和線路瞬態(tài)響應(yīng)使其成為微光條件下移動(dòng)通信設(shè)備或相機(jī)模塊電源的理想選擇。它還可以在滿負(fù)荷情況下開啟,適用于惡劣的系統(tǒng)環(huán)境。
對(duì)于DFN1216-8封裝版本,ZCC8801系列LDO可通過在“H”或“L”之間交替LCON引腳來選擇輸出電流限制在1.0A或500mA之間。
芯片供電電壓偏低時(shí)芯片為維持目標(biāo)電流值會(huì)切換成BOOST模式,此時(shí)芯片損耗主要是由開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗組成,大電流應(yīng)用場(chǎng)景下開關(guān)損耗占比較小,導(dǎo)通損耗占主導(dǎo)地位,此時(shí)導(dǎo)通損耗主要是由充電階段的N管導(dǎo)通損耗和續(xù)流階段P管導(dǎo)通損耗以及恒流源的功率損耗三部分構(gòu)成.
AW36501DNR單燈應(yīng)用時(shí)可以短接LED1/LED2驅(qū)動(dòng)單顆LED燈,除了常規(guī)的單顆閃光燈應(yīng)用,雙路驅(qū)動(dòng)單燈總電流可以達(dá)到1.5A,可以滿足部分大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
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