1000小時HV-H3TRB測試顯示對高壓及潮濕環(huán)境卓越適應能力
發(fā)布時間:2024/3/5 8:23:24 訪問次數(shù):517
設計規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。
在先進的半導體技術(shù)節(jié)點，DRC規(guī)則的數(shù)量增加和復雜性提升，導致傳統(tǒng)的2D DRC無法識別所有熱點和故障。2D DRC無法模擬或預測3D規(guī)則違規(guī)，因此通常在開發(fā)晚期才能識別到3D故障。僅靠硅晶圓廠數(shù)據(jù)和測試宏來識別開發(fā)晚期的故障既耗時又昂貴。
SEMulator3D®虛擬制造平臺可用于進行半導體器件的3D建模和基于規(guī)則的量測，并用比硅晶圓實驗更快、更經(jīng)濟的方式識別熱點（DRC違規(guī)）和潛在故障。
取電協(xié)議芯片與充電頭(Source) 進行協(xié)商，Type-C通過控制信號輸出協(xié)商電壓，然后充電管理多串鋰電池或其它類型電池充電。
設計規(guī)則通常根據(jù)所使用設備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會導致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過量或其他器件故障。
測試電壓的大幅提升對于IGBT無疑是更嚴峻的考驗，而IGBT7通過優(yōu)化設計，通過了1000小時的HV-H3TRB測試，顯示出對高壓及潮濕環(huán)境的卓越適應能力。
此外還會產(chǎn)生少量的電源調(diào)制噪聲，如測量的電源調(diào)制比（PSMR）。該PSMR是對調(diào)制到RF發(fā)射載波上的缺陷（紋波和噪聲）的測量。可以使用非隔離的RF負載點調(diào)節(jié)器（PMIC中的RF PoL）來減少或消除這種噪聲。
實施RF PoL/PMIC可為RFFE應用帶來最佳運行所需的高精度電壓軌、快速動態(tài)響應負載，和低噪聲。
設計規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。
在先進的半導體技術(shù)節(jié)點，DRC規(guī)則的數(shù)量增加和復雜性提升，導致傳統(tǒng)的2D DRC無法識別所有熱點和故障。2D DRC無法模擬或預測3D規(guī)則違規(guī)，因此通常在開發(fā)晚期才能識別到3D故障。僅靠硅晶圓廠數(shù)據(jù)和測試宏來識別開發(fā)晚期的故障既耗時又昂貴。
SEMulator3D®虛擬制造平臺可用于進行半導體器件的3D建模和基于規(guī)則的量測，并用比硅晶圓實驗更快、更經(jīng)濟的方式識別熱點（DRC違規(guī)）和潛在故障。
取電協(xié)議芯片與充電頭(Source) 進行協(xié)商，Type-C通過控制信號輸出協(xié)商電壓，然后充電管理多串鋰電池或其它類型電池充電。
設計規(guī)則通常根據(jù)所使用設備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會導致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過量或其他器件故障。
測試電壓的大幅提升對于IGBT無疑是更嚴峻的考驗，而IGBT7通過優(yōu)化設計，通過了1000小時的HV-H3TRB測試，顯示出對高壓及潮濕環(huán)境的卓越適應能力。
此外還會產(chǎn)生少量的電源調(diào)制噪聲，如測量的電源調(diào)制比（PSMR）。該PSMR是對調(diào)制到RF發(fā)射載波上的缺陷（紋波和噪聲）的測量�？梢允褂梅歉綦x的RF負載點調(diào)節(jié)器（PMIC中的RF PoL）來減少或消除這種噪聲。
實施RF PoL/PMIC可為RFFE應用帶來最佳運行所需的高精度電壓軌、快速動態(tài)響應負載，和低噪聲。
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