故障的位置該GDS文件包含在結(jié)構(gòu)搜索工藝中識(shí)別的故障和缺陷
發(fā)布時(shí)間:2024/3/5 8:31:43 訪問(wèn)次數(shù):161
對(duì)于混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和電動(dòng)汽車 (EV),電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的配電系統(tǒng)可為車輛的核心功能供電,還可提供安全斷開高電壓或高電流事件的機(jī)制。隨著對(duì)更高電壓、電流、效率和可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng),配電系統(tǒng)的兩個(gè)核心組件(高壓繼電器和斷開保險(xiǎn)絲)面臨越來(lái)越多的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
在SEMulator3D中,搜索宏可以識(shí)別大面積半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)的違規(guī)或可能發(fā)生的器件故障。
當(dāng)搜索宏識(shí)別出故障時(shí)(使用基于規(guī)則的量測(cè)),會(huì)自動(dòng)將結(jié)果輸出到一個(gè)GDS文件,展示已識(shí)別故障的位置,該GDS文件包含在結(jié)構(gòu)搜索工藝中識(shí)別的故障和缺陷。
支持差分輸入,支持大動(dòng)態(tài)輸出信號(hào)400mW單聲道高性能音頻驅(qū)動(dòng)芯片,專為電路板空間有限的便攜設(shè)備而設(shè)計(jì)。IU8202T具有極低的靜態(tài)功耗以及極低的底噪。
IU8202T采用單端模式輸出,其直驅(qū)模式結(jié)構(gòu)單電源供電時(shí)能夠產(chǎn)生以地為參考的輸出,從而省 去了大尺寸的隔直電容,既節(jié)省了成本和電路板空間, 也降低了元件的高度。
H7的Eoff相對(duì)于S5降低了27%,相對(duì)于H5降低了20%,所以總體來(lái)說(shuō),H7整體的開關(guān)損耗(Eon+Eoff),還是要比S5和H5更低。
通過(guò)對(duì)3D結(jié)構(gòu)進(jìn)行基于規(guī)則的虛擬量測(cè),SEMulator3D中的3D模型可用于搜索和驗(yàn)證問(wèn)題區(qū)域或熱點(diǎn)。一旦有違反規(guī)則,軟件會(huì)進(jìn)行相應(yīng)提示。
而2D DRC工藝可能無(wú)法識(shí)別到所有這些違規(guī)——盡管使用簡(jiǎn)單的2D DRC可以識(shí)別某些熱點(diǎn),但由于2D DRC無(wú)法顯示沉積、刻蝕或其他光刻工藝的變異性,所以結(jié)果并不完整。
這些信息可用于協(xié)助工藝/設(shè)計(jì)的共同優(yōu)化,并降低不可控性。通過(guò)在3D結(jié)構(gòu)上進(jìn)行虛擬且基于規(guī)則的量測(cè),可以在開發(fā)早期、在硅晶圓廠數(shù)據(jù)和測(cè)試宏之前識(shí)別可能限制良率的故障。
對(duì)于混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和電動(dòng)汽車 (EV),電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的配電系統(tǒng)可為車輛的核心功能供電,還可提供安全斷開高電壓或高電流事件的機(jī)制。隨著對(duì)更高電壓、電流、效率和可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng),配電系統(tǒng)的兩個(gè)核心組件(高壓繼電器和斷開保險(xiǎn)絲)面臨越來(lái)越多的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
在SEMulator3D中,搜索宏可以識(shí)別大面積半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)的違規(guī)或可能發(fā)生的器件故障。
當(dāng)搜索宏識(shí)別出故障時(shí)(使用基于規(guī)則的量測(cè)),會(huì)自動(dòng)將結(jié)果輸出到一個(gè)GDS文件,展示已識(shí)別故障的位置,該GDS文件包含在結(jié)構(gòu)搜索工藝中識(shí)別的故障和缺陷。
支持差分輸入,支持大動(dòng)態(tài)輸出信號(hào)400mW單聲道高性能音頻驅(qū)動(dòng)芯片,專為電路板空間有限的便攜設(shè)備而設(shè)計(jì)。IU8202T具有極低的靜態(tài)功耗以及極低的底噪。
IU8202T采用單端模式輸出,其直驅(qū)模式結(jié)構(gòu)單電源供電時(shí)能夠產(chǎn)生以地為參考的輸出,從而省 去了大尺寸的隔直電容,既節(jié)省了成本和電路板空間, 也降低了元件的高度。
H7的Eoff相對(duì)于S5降低了27%,相對(duì)于H5降低了20%,所以總體來(lái)說(shuō),H7整體的開關(guān)損耗(Eon+Eoff),還是要比S5和H5更低。
通過(guò)對(duì)3D結(jié)構(gòu)進(jìn)行基于規(guī)則的虛擬量測(cè),SEMulator3D中的3D模型可用于搜索和驗(yàn)證問(wèn)題區(qū)域或熱點(diǎn)。一旦有違反規(guī)則,軟件會(huì)進(jìn)行相應(yīng)提示。
而2D DRC工藝可能無(wú)法識(shí)別到所有這些違規(guī)——盡管使用簡(jiǎn)單的2D DRC可以識(shí)別某些熱點(diǎn),但由于2D DRC無(wú)法顯示沉積、刻蝕或其他光刻工藝的變異性,所以結(jié)果并不完整。
這些信息可用于協(xié)助工藝/設(shè)計(jì)的共同優(yōu)化,并降低不可控性。通過(guò)在3D結(jié)構(gòu)上進(jìn)行虛擬且基于規(guī)則的量測(cè),可以在開發(fā)早期、在硅晶圓廠數(shù)據(jù)和測(cè)試宏之前識(shí)別可能限制良率的故障。
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