芯片提供“芯片+eSIM+連接服務(wù)”，基于China Mobile Inside嵌入式芯片（即內(nèi)置eSIM的核心芯片或套片），可以在工業(yè)制造技術(shù)、生產(chǎn)周期、行業(yè)能力整合、終端補(bǔ)貼等多方面發(fā)揮更多優(yōu)勢。

從芯片級(jí)對eSIM封裝，其可靠性更高，對于惡劣環(huán)境的耐受能力更好。終端廠家采購的通信芯片中直接嵌入eSIM功能，簡化了生產(chǎn)流程。

同時(shí)終端廠家也無需分別對接芯片廠商和運(yùn)營商，有效降低溝通成本，且可以更高效的保障通信信息安全，將在車聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、工業(yè)設(shè)備監(jiān)控等領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。

以TJA1040和PCA82C251為例，同作為高速的收發(fā)器，主要的不同點(diǎn)主要是以下幾點(diǎn)：

在無源的狀態(tài)下，TJA1040相當(dāng)于脫離總線，在性能上更加良好;

PCA82C251具有斜率控制，而TJA1040則是固定斜率控制。具體區(qū)別可參考引腳設(shè)計(jì)。

PCA82C251不具備TXD顯性超時(shí)保護(hù)功能，而TJA1040在這一點(diǎn)上做的不錯(cuò);

正常工作模式下，PCA82C251的收發(fā)功率不大，但是TJA1040的則更小，最大消耗15uA;

輸出的差分電壓，PCA82C251是1V-5V，TJA1040則是1.5V-3V;除此以外在靜電保護(hù)上TJA1040也會(huì)更勝一籌。 

在7LPP工藝上首次應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，在7LPP工藝的基礎(chǔ)上繼續(xù)創(chuàng)新改進(jìn)，可進(jìn)一步縮小芯片核心面積，帶來超低功耗。

最后一次應(yīng)用高度成熟和行業(yè)驗(yàn)證的FinFET立體晶體管技術(shù)，結(jié)合此前5LPE工藝的成熟技術(shù)，芯片面積更小，性能更高，可以快速達(dá)到高良率量產(chǎn)，也方便客戶升級(jí)。

而針對5G、車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的低功耗微控制器(MCU)、下代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，將提供全套完整的交鑰匙平臺(tái)方案，從28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任選擇。

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