分立式設(shè)計(jì)的靈活性更大，但開(kāi)發(fā)過(guò)程也更復(fù)雜.對(duì)于許多應(yīng)用而言，模塊在效率方面的諸多優(yōu)勢(shì)是分立式設(shè)計(jì)難以企及的。例如，模塊將多個(gè)功率器件集成在單個(gè)緊湊的封裝中，簡(jiǎn)化了機(jī)械組裝，優(yōu)化了熱管理，提高了可靠性，并減少了電壓尖峰和高頻EMI。

所選擇的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（即二電平還是三電平）以及充電樁需要單向運(yùn)行還是雙向運(yùn)行，都會(huì)影響器件的選擇。實(shí)現(xiàn)直流充電樁PFC和DC-DC級(jí)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選項(xiàng)有許多。

由于功率和電壓水平非常高，許多 OEM 的首選架構(gòu)一般是三級(jí)功率因數(shù)校正 (PFC)。

PFC設(shè)計(jì)最常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有三開(kāi)關(guān)Vienna（單向）、NPC、A-NPC、T-NPC（雙向替換二極管）和六開(kāi)關(guān)（雙向） 。

DC−DC級(jí)通常以全橋或相移LLC及其變體實(shí)現(xiàn)，并采用雙有源橋 (DAB) 架構(gòu)支持雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括二電平和三電平系統(tǒng)，它們分別采用600至650V或900至1200V開(kāi)關(guān)和二極管。

應(yīng)注意物理系統(tǒng)約束，包括尺寸、重量、成本和其他需要考慮的限制因素。例如，如果尺寸和重量很重要，那么選擇基于 SiC 的模塊將能降低總體布線(xiàn)要求，減小系統(tǒng)尺寸，并減輕車(chē)重。

在上電之前,芯片的輸入電源需保持在200mV以下至少12μs的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)就要求我們的電路在掉電后，如果需要對(duì)系統(tǒng)重新上電的話(huà)，必須讓芯片的輸入電源電壓至少有12μs的時(shí)間是在200mV以下。

換個(gè)角度表述就是：在下電后，必須讓MCU的供電電壓降到200mV以下才能再次上電(12μs很短，幾乎可以忽略)，系統(tǒng)才能可靠運(yùn)行。

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