模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET,從而簡化熱機械設(shè)計和裝配。我們的共源共柵技術(shù)還支持以更高的開關(guān)頻率運行,通過使用更小的外部元件進一步縮小解決方案的尺寸。

以9.4mΩ導(dǎo)通電阻的 UHB100SC12E1BC3N為代表的這四款SiC模塊均采用Qorvo獨特的共源共柵配置，最大限度地降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優(yōu)勢在軟開關(guān)應(yīng)用中尤為顯著。

另外，銀燒結(jié)芯片貼裝將熱阻降至0.23°C/W；與帶“SC”的產(chǎn)品型號中的疊層芯片結(jié)構(gòu)相結(jié)合，其功率循環(huán)性能比市場同類SiC電源模塊高出2倍。

該連接器采電源和信號混合設(shè)計，包含兩個250V、80A電源引腳（額定沖擊電壓為4.0KV）和四個60V、10A信號引腳（額定沖擊電壓為1.5KV）。其浮動式設(shè)計提供0.5mm的公差。

這些連接器的緊湊式混合設(shè)計有助于滿足縮小封裝尺寸、減少空間占用和減輕重量的要求，即使在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中也能幫助實現(xiàn)車輛的小型化。TE HDC浮動式充電連接器具有多達30,000次插配循環(huán)的耐用性，是一款高度可靠、功能強大的解決方案。

TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）。

TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強大的OptiMOS MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu),通過穩(wěn)健的機械設(shè)計提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運行效率,在滿足AI GPU（圖形處理器單元）平臺高功率需求的同時，顯著降低總體擁有成本。

量子通信的一大應(yīng)用是量子密鑰分發(fā)（QKD）。與傳統(tǒng)加密技術(shù)不同，QKD利用量子糾纏和量子不可克隆原理，能夠在兩方之間安全地共享密鑰。

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