數(shù)據(jù)加速器可以卸載通常由主CPU執(zhí)行的計算、網(wǎng)絡(luò)和/或存儲處理工作負載，從而可以顯著減少服務(wù)器的占用空間。

ASR模型對現(xiàn)代數(shù)據(jù)加速器來說是一種挑戰(zhàn)，通常需要手動調(diào)整以實現(xiàn)比平臺主要性能規(guī)格的個位數(shù)效率更高的性能。實時ASR工作負載需要高存儲帶寬以及高性能計算。這些大型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)所需的數(shù)據(jù)通常存儲在加速卡上的DDR存儲器中。

將數(shù)據(jù)從外部存儲器傳輸?shù)接嬎闫脚_是該工作負載中的性能瓶頸，特別是在進行實時部署的時候。

這些轉(zhuǎn)換器的電源選擇范圍越來越大，您可以從各種不同的外形尺寸、線路插頭和額定功率方面選擇合格的醫(yī)療電源。

在這些轉(zhuǎn)換器滿足的具體要求中，包括兩種病人保護方式 (2×MOPP) 和 100 µA 左右的漏電流。這些都是超出一般電源安全和效率標(biāo)準(zhǔn)的要求。

這一挑戰(zhàn)已經(jīng)推動了氮化鎵(GaN)在高壓電源設(shè)計中的廣泛應(yīng)用，原因在于GaN具有兩大優(yōu)勢：

提高功率密度。GaN的開關(guān)頻率較高，使設(shè)計人員能夠使用體積更小的無源器件（如電感器和電容器），從而縮小電路板的尺寸。

提升效率。相較于硅設(shè)計，GaN出色的開關(guān)和導(dǎo)通損耗性能可將損耗降低50%以上。

除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓GaN解決方案（額定值80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓GaN之前無法支持的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的功率密度和效率。

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