溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子
發(fā)布時間:2024/3/28 8:35:16 訪問次數(shù):81
低電感基于SiC的SP6LI功率模塊。此外，還將展示最近發(fā)布的新一代1200V、40mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產(chǎn)品，擴大其SiC解決方案的開發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場提供一系列Si/SiC功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。
SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200V、210A至586A;以及Tc同為80°C的情況下達(dá)到1700V、207A的相臂拓?fù)洹?/span>
SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓?fù)洌總�開關(guān)具有低至2.1mOhms的極低RDSon，并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導(dǎo)熱性基板(氮化鋁作為標(biāo)準(zhǔn)，氮化硅作為選件)。
此外，標(biāo)準(zhǔn)銅底板可替換為鋁碳化硅(AlSiC)材料選件以實現(xiàn)更高的功率循環(huán)能力。
電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。
多個通用輸入可以實現(xiàn)觸覺時序的低延遲觸發(fā)，非常適合包含傳感器中樞和應(yīng)用處理器的安卓系統(tǒng)。
SP6LI功率模塊可以用于多種工業(yè)、汽車、醫(yī)療、航天和國防應(yīng)用領(lǐng)域的開關(guān)模式電源和電機控制，示例包括電動車/混合動力車(EV/HEV)動力傳送和動能回收系統(tǒng)、飛機作動器系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)、開關(guān)模式電源，用于電感加熱、醫(yī)療電源和列車電氣化等應(yīng)用的開關(guān)模式電源、光伏(PV)/太陽能/風(fēng)能轉(zhuǎn)換器 和不間斷電源。
低電感基于SiC的SP6LI功率模塊。此外，還將展示最近發(fā)布的新一代1200V、40mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產(chǎn)品，擴大其SiC解決方案的開發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場提供一系列Si/SiC功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。
SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200V、210A至586A;以及Tc同為80°C的情況下達(dá)到1700V、207A的相臂拓?fù)洹?/span>
SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓?fù)�，每個開關(guān)具有低至2.1mOhms的極低RDSon，并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導(dǎo)熱性基板(氮化鋁作為標(biāo)準(zhǔn)，氮化硅作為選件)。
此外，標(biāo)準(zhǔn)銅底板可替換為鋁碳化硅(AlSiC)材料選件以實現(xiàn)更高的功率循環(huán)能力。
電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。
多個通用輸入可以實現(xiàn)觸覺時序的低延遲觸發(fā)，非常適合包含傳感器中樞和應(yīng)用處理器的安卓系統(tǒng)。
SP6LI功率模塊可以用于多種工業(yè)、汽車、醫(yī)療、航天和國防應(yīng)用領(lǐng)域的開關(guān)模式電源和電機控制，示例包括電動車/混合動力車(EV/HEV)動力傳送和動能回收系統(tǒng)、飛機作動器系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)、開關(guān)模式電源，用于電感加熱、醫(yī)療電源和列車電氣化等應(yīng)用的開關(guān)模式電源、光伏(PV)/太陽能/風(fēng)能轉(zhuǎn)換器 和不間斷電源。
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