6A、20A和25A microBRICK®同步降壓穩(wěn)壓器---SiC967、SiC931和SiC951，用來提高負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6mmx6.5mmx3mm封裝，占位面積和高度均小于市場(chǎng)上此類器件，輸入電壓范圍4.5V至60V。

而且，無論使用哪種類型的輸出電容器，包括低ESR陶瓷電容器，穩(wěn)壓器都能保持環(huán)路穩(wěn)定性。

穩(wěn)壓器集成各種可靠保護(hù)功能，包括輸出過壓（OVP）和欠壓保護(hù)（UVP）、逐周期過流保護(hù)（OCP）、帶自動(dòng)重試的短路保護(hù)（SCP）、過熱保護(hù)（OTP）和電源正常標(biāo)志。

新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設(shè)備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應(yīng)用中，新型IGBT器件可將功耗降低11%。

此外， Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)效應(yīng)，器件之間緊密的參數(shù)分布有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并輕松并聯(lián)多個(gè)IGBT管，以滿足高功率應(yīng)用需求。

未來的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面：

隨著電子設(shè)備的智能化和網(wǎng)絡(luò)化需求的增加，MOS管和簡(jiǎn)單CMOS邏輯門電路需要具備更高的運(yùn)算速度和更低的功耗，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。

隨著電子設(shè)備的迷你化趨勢(shì)，MOS管和簡(jiǎn)單CMOS邏輯門電路需要具備更高的集成度和更小的尺寸，以適應(yīng)電子設(shè)備體積的要求。

隨著通信系統(tǒng)和存儲(chǔ)器的需求增加，MOS管和簡(jiǎn)單CMOS邏輯門電路需要具備更低的噪聲和更高的穩(wěn)定性，以保證信號(hào)傳輸?shù)目煽啃浴?/span>

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