MOSFET并聯(lián)和電流共享使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)的數(shù)量
發(fā)布時間:2024/4/23 9:00:11 訪問次數(shù):103
與上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200V產(chǎn)品組合具有更加強大的技術特性，其RDS(on)降低了42%，有助于減少傳導損耗和提高輸出功率。
在二極管性能方面，OptiMOS 6 200V的軟度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了89%，使開關和EMI性能均得到明顯改善。
OptiMOS 6 200 V產(chǎn)品具有更出色的SOA并達到J-STD-020標準中的MSL 1等級。該半導體產(chǎn)品組合符合RoHS規(guī)范且不含鉛，滿足當前行業(yè)標準的要求。
集成AIE的處理器包含高通Hexagon向量處理器，支持面向更高水平、更復雜的AI功能的向量數(shù)學。
該技術還提升了寄生電容線性度（Coss和Crss），減少了開關期間的振蕩并降低了電壓過沖。更緊密的VGS(th)分布和低跨導特性有助于MOSFET并聯(lián)和電流共享，使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)MOSFET的數(shù)量。
驍龍632處理器是在驍龍625處理器和驍龍626處理器的基礎上升級而來，支持AI以及極速LTE等用戶體驗。
深圳市金澤順電子有限公司http://jzs.51dzw.com
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