3級(jí)DCFC的前端由三相功率因數(shù)校正(PFC)升壓級(jí)組成，可以是單向或雙向；升壓級(jí)可以采用各種拓?fù)洌ǘ娖交蛉娖剑⿲?shí)現(xiàn)。PFC級(jí)接受電網(wǎng)電壓（400EU、480US），并將其升壓至700至1000V。對(duì)于下一代充電樁，業(yè)界已經(jīng)瞄準(zhǔn)了更高電壓。

獨(dú)立的快速直流充電樁還需要能夠處理充電相關(guān)的支付。最后，充電樁需要管理自身的維護(hù)、軟件升級(jí)等（例如通過(guò)藍(lán)牙低功耗、Wi-Fi4、LTE）。

實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)由所使用的直流充電協(xié)議規(guī)定，例如IEC−61851/SAE1772、GB/T、CHAdeMO、組合充電系統(tǒng)(CCS)或特斯拉超級(jí)充電樁.

電路中增加電容，雖然使系統(tǒng)在某些方面能滿足設(shè)計(jì)要求，但是由于電容的存在，系統(tǒng)的上電時(shí)間也會(huì)相應(yīng)的延長(zhǎng)，下電時(shí)由于電容放電緩慢，下電時(shí)間也會(huì)更長(zhǎng)。

現(xiàn)在，我們對(duì)最新的MPUs，特別是STM32MP2系列所帶來(lái)的應(yīng)用機(jī)會(huì)抱有濃厚的興趣，因?yàn)檫@款產(chǎn)品具有更高的能效，讓我們能夠盡可能地降低音箱的散熱要求。

STM32MP2片上集成的Cortex-M協(xié)處理器為我們消除了對(duì)單獨(dú)微控制器的需求，而支持千兆位以太網(wǎng)和精確時(shí)間協(xié)議(PTP)則能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)備間精確的數(shù)據(jù)傳輸和同步。

交流充電和直流充電之間的差異。對(duì)于交流充電,車載充電器(OBC)插入標(biāo)準(zhǔn)交流插座。OBC將交流電轉(zhuǎn)換為適當(dāng)?shù)闹绷麟姙殡姵爻潆�。�?duì)于直流充電,充電樁直接給電池充電。

碳化硅(SiC)和功率集成模塊(PIM)技術(shù)的進(jìn)步,是促進(jìn)向更快速充電轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。

SiC使DCFC能夠以更高的頻率運(yùn)行（因而效率也更高），同時(shí)以更快的速度提供更多功率。PIM使OEM能夠快速將先進(jìn)的技術(shù)集成到緊湊、輕便的設(shè)備中，并實(shí)現(xiàn)出色的熱管理、可靠性和可制造性，從而加快SiC技術(shù)的普及。

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