內(nèi)部補(bǔ)償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用含谷底開關(guān)的恒定導(dǎo)通時間CrM架構(gòu)。

由于內(nèi)置非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)，在頻率返走工作期間谷底同步導(dǎo)通，因此可滿足現(xiàn)代能效標(biāo)準(zhǔn)，包括那些要求在輕載下提供高能效的標(biāo)準(zhǔn)。

進(jìn)一步減少器件數(shù)，實現(xiàn)逐周期電流限制，無需霍爾效應(yīng)傳感器。

NCP1680采用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調(diào)試先進(jìn)的圖騰柱PFC設(shè)計。

這使得R-Car V4H和外圍存儲器能夠從車載電池的12V電源中獲得高度可靠的供電。

這些功能可實現(xiàn)低功耗運行，同時以極低的BOM成本實現(xiàn)ASIL D目標(biāo)合規(guī)等級以滿足系統(tǒng)和隨機(jī)硬件故障的要求。

有助于最大限度地減少硬件和軟件開發(fā)工作量,同時縮減設(shè)計復(fù)雜性、成本和上市時間。

陣容廣泛的SiC MOSFET，它們比硅MOSFET提供更高能效。低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷(Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。

局部放電對絕緣結(jié)構(gòu)的破壞機(jī)理主要有三個方面：

帶電電子元器件粒子(電子，離子等)沖擊絕緣層，破壞其分子結(jié)構(gòu)，如纖維碎裂，因而絕緣受到損傷。

由于帶電離子的撞擊作用，使電子元器件采購網(wǎng)該絕緣出現(xiàn)局部溫度升高，從而易引起絕緣的過熱，嚴(yán)重時就會出現(xiàn)碳化。

局部放電產(chǎn)生臭氧及氮的氧化物會侵蝕絕電子元件緣,當(dāng)遇有水分則產(chǎn)生硝酸,對絕緣的侵蝕更為劇烈。

開關(guān)電源也有自己的不足，如輸出電壓有紋波及開關(guān)噪聲，線性電源是沒有的。