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有損耗二極管并拉入升壓PFC功能減少電橋損耗顯著提高整體能效

發(fā)布時(shí)間:2024/4/24 8:43:36 訪問(wèn)次數(shù):56

RAA271041前端穩(wěn)壓器和RAA271005 PMIC為R-Car V4H提供了專用電源解決方案。

R-Car V4H軟件開(kāi)發(fā)工具套件(SDK)也可助力更快、更輕松的啟動(dòng)設(shè)備評(píng)估和軟件開(kāi)發(fā),包括深度學(xué)習(xí)算法移植。該SDK帶來(lái)機(jī)器學(xué)習(xí)開(kāi)發(fā)的全部功能,并對(duì)嵌入式系統(tǒng)的性能、電源效率和功能安全進(jìn)行優(yōu)化。套件提供完整的仿真模型,獨(dú)立于操作系統(tǒng)的軟件平臺(tái)使“軟件定義汽車(chē)”的開(kāi)發(fā)更加容易。

對(duì)于從零開(kāi)始的開(kāi)發(fā)場(chǎng)景,F(xiàn)ixstars的Genesis平臺(tái)使工程師可以在任何地方通過(guò)他們的云解決方案評(píng)估R-Car,并可提供快速、簡(jiǎn)便的CNN基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果。

在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管在240W電源中的損耗約4W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級(jí)的能效通常為97%,LLC電路實(shí)現(xiàn)類似的性能。然而,用 "圖騰柱 "配置的開(kāi)關(guān)取代有損耗的二極管,并拉入升壓PFC功能,可減少電橋損耗,顯著提高整體能效。

此外,NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類型,無(wú)論是超級(jí)結(jié)硅MOSFET還是碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶開(kāi)關(guān)。

這一突破性的新一代產(chǎn)品基于MEMS專業(yè)知識(shí)和工藝技術(shù)方面的大規(guī)模投資。

高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電,某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象,這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短(路橋)接而不形成導(dǎo)電通道為限,局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都會(huì)有一些影響,輕微的局部放電對(duì)電力設(shè)備絕緣的影響較小,絕緣強(qiáng)度的下降較慢,而強(qiáng)烈的局部放電,則會(huì)使絕緣強(qiáng)度很快下降。

數(shù)字電源有用DSP控制的,還有用MCU控制的,相對(duì)來(lái)講,DSP控制的電源采用數(shù)字濾波方式,較MCU控制的電源更能滿足復(fù)雜的電源需求,實(shí)時(shí)反應(yīng)速度更快,電源穩(wěn)壓性能更好。

深圳市品德冠科技有限公司http://jzskj.51dzw.com

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此外,NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類型,無(wú)論是超級(jí)結(jié)硅MOSFET還是碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶開(kāi)關(guān)。

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