根據(jù)圖騰柱開(kāi)關(guān)技術(shù)中，當(dāng)中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680可與 NCP51820半橋GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器或NCP51561隔離型SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器一起使用。 

陣容廣泛的SiC MOSFET，它們比硅MOSFET提供更高能效。低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸確保低電容和門(mén)極電荷(Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。 

NCP51561是隔離型雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。

新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速開(kāi)關(guān)，提供短且匹配的傳播延遲。兩個(gè)獨(dú)立的5kVRMS(UL1577級(jí))電隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器通道可用作兩個(gè)下橋、兩個(gè)上橋開(kāi)關(guān)或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器，具有可編程的死區(qū)時(shí)間。

一個(gè)使能引腳將同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出，且NCP51561提供其他重要的保護(hù)功能，如用于兩個(gè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的獨(dú)立欠壓鎖定(UVLO)和使能功能。

采用TO-247-4L和D2PAK-7L封裝的650V SiC MOSFET，并將繼續(xù)猛增該產(chǎn)品系列。 

現(xiàn)在,新一代MEMS傳感器將性能提升到了一個(gè)新的水平,輸出數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度和功耗都突破了現(xiàn)有技術(shù)限制。新傳感器可讓活動(dòng)檢測(cè)、室內(nèi)導(dǎo)航、精密工業(yè)感測(cè)等產(chǎn)品功能具有更高的測(cè)量準(zhǔn)確度。同時(shí),新一代傳感器將耗電量控制得很低,以延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

內(nèi)置QVAR的ST MEMS傳感器可以增強(qiáng)用戶(hù)界面控制性能,確保人機(jī)交互順暢無(wú)縫,或者簡(jiǎn)化水分和冷凝檢測(cè)設(shè)計(jì)。

雷達(dá)模式應(yīng)用場(chǎng)景包括人員存在檢測(cè)、活動(dòng)監(jiān)控和人數(shù)統(tǒng)計(jì)。此外，提供完整的硅基 650V SUPERFET®III MOSFET產(chǎn)品組合。