增加靜電感測和機(jī)器學(xué)習(xí)等選配功能擴(kuò)展新一代傳感器功能組合
發(fā)布時間:2024/4/24 8:47:07 訪問次數(shù):82
新一代傳感器助力消費(fèi)類移動產(chǎn)品、智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能零售產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)性能和功能新飛躍。
MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)是穩(wěn)健可靠的芯片級運(yùn)動和環(huán)境傳感器的基礎(chǔ)技術(shù),今天的智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備依靠MEMS傳感器實(shí)現(xiàn)直觀的環(huán)境感知功能。
除了徹底改變傳感器的性能外,我們還通過增加靜電感測和機(jī)器學(xué)習(xí)等選配功能擴(kuò)展新一代傳感器的功能組合。新一代傳感器為Onlife做好了準(zhǔn)備。所謂的Onlife就是通過始終存在、始終運(yùn)行和始終連接的技術(shù),以透明、無縫的方式改善我們的生活方式。
該高度集成的器件可使電源設(shè)計在通用電源(90至265Vac)下以高達(dá)350W的建議功率水平工作。在230Vac電源輸入下,基于NCP1680的PFC電路能夠在300W實(shí)現(xiàn)近99%的能效。
在外部只需幾個簡單的器件即可實(shí)現(xiàn)全功能圖騰柱PFC,從而節(jié)省空間和器件成本。
這些傳感器增強(qiáng)了便攜式設(shè)備和可穿戴設(shè)備(包括運(yùn)動手表)的高度計和氣壓計性能。
LSM6DSV16X6軸iNEMO慣性模塊包含QVAR靜電傳感器以及可以提高響應(yīng)性能、節(jié)省電能的MLC核心和有限狀態(tài)機(jī)(FSM)。最小工作電流為12A。新的FSM機(jī)支持自適應(yīng)自我配置(ASC)。
滿量程可以選擇,最高1260hPa或4060hPa,相當(dāng)于約98英尺(30米)深度的水壓。
有了這個ASC功能,模塊可以感知上下文,并重新自我配置,無需喚醒系統(tǒng),從而額外節(jié)省了大量電能。該模塊即將投入生產(chǎn)。
在一個靜電雷達(dá)演示應(yīng)用中,采用該模塊的用戶存在預(yù)檢功能可以加快喚醒筆記本電腦。

新一代傳感器助力消費(fèi)類移動產(chǎn)品、智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能零售產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)性能和功能新飛躍。
MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)是穩(wěn)健可靠的芯片級運(yùn)動和環(huán)境傳感器的基礎(chǔ)技術(shù),今天的智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備依靠MEMS傳感器實(shí)現(xiàn)直觀的環(huán)境感知功能。
除了徹底改變傳感器的性能外,我們還通過增加靜電感測和機(jī)器學(xué)習(xí)等選配功能擴(kuò)展新一代傳感器的功能組合。新一代傳感器為Onlife做好了準(zhǔn)備。所謂的Onlife就是通過始終存在、始終運(yùn)行和始終連接的技術(shù),以透明、無縫的方式改善我們的生活方式。
該高度集成的器件可使電源設(shè)計在通用電源(90至265Vac)下以高達(dá)350W的建議功率水平工作。在230Vac電源輸入下,基于NCP1680的PFC電路能夠在300W實(shí)現(xiàn)近99%的能效。
在外部只需幾個簡單的器件即可實(shí)現(xiàn)全功能圖騰柱PFC,從而節(jié)省空間和器件成本。
這些傳感器增強(qiáng)了便攜式設(shè)備和可穿戴設(shè)備(包括運(yùn)動手表)的高度計和氣壓計性能。
LSM6DSV16X6軸iNEMO慣性模塊包含QVAR靜電傳感器以及可以提高響應(yīng)性能、節(jié)省電能的MLC核心和有限狀態(tài)機(jī)(FSM)。最小工作電流為12A。新的FSM機(jī)支持自適應(yīng)自我配置(ASC)。
滿量程可以選擇,最高1260hPa或4060hPa,相當(dāng)于約98英尺(30米)深度的水壓。
有了這個ASC功能,模塊可以感知上下文,并重新自我配置,無需喚醒系統(tǒng),從而額外節(jié)省了大量電能。該模塊即將投入生產(chǎn)。
在一個靜電雷達(dá)演示應(yīng)用中,采用該模塊的用戶存在預(yù)檢功能可以加快喚醒筆記本電腦。

熱門點(diǎn)擊
- 45納米低功耗技術(shù)為533MHz至800MH
- 與CSP封裝相比QFN封裝還具有更好散熱穩(wěn)定
- 車載設(shè)備提供符合ISO 26262道路車輛功
- 散熱片使客戶能夠設(shè)計出滿足DOE-6能效標(biāo)準(zhǔn)
- 大于200V/ns業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾性(C
- 多個轉(zhuǎn)換器集成增加輸出功率或通過添加外部環(huán)形
- 高壓放大器用于放大由鐵電材料產(chǎn)生電極化信號以
- 使用iFET轉(zhuǎn)換器則可能無法使用所需控制拓?fù)?/a>
- CAN總線的通信過程中由于阻抗不匹配導(dǎo)致的信
- MPT工藝的IGBT芯片及發(fā)射極控制技術(shù)的F
推薦技術(shù)資料
- 中國傳媒大學(xué)傳媒博物館開
- 傳媒博物館開館儀式隆童舉行。教育都i國家廣電總局等部門... [詳細(xì)]
- 1200 V CoolSiC MOSFET
- 高帶寬內(nèi)存(HBM)和芯片間互連(ICI)應(yīng)
- 第七代TPU—Ironwood
- Neuralink新款“心靈感
- IR最新功率MOSFET的30
- 全新第4代SiC MOSFET
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究