創(chuàng)新性無線通信天線。這款數(shù)字編碼動(dòng)態(tài)超表面陣列（DMA）原型結(jié)合了超材料的獨(dú)特特性與復(fù)雜的信號(hào)處理能力，可為數(shù)據(jù)傳輸提供新性能峰值，有望助力未來6G通信網(wǎng)絡(luò)的實(shí)現(xiàn)。

這款DMA使用了專門設(shè)計(jì)且完全可調(diào)諧的超材料元件。這些元件可通過軟件操縱電磁波，創(chuàng)造出能進(jìn)行高頻可重構(gòu)操作的高級(jí)漏波天線。

火柴盒大小的DMA原型使用高速互連，通過FPGA編程同時(shí)并行控制單個(gè)超材料元件。該DMA也可塑造通信波束形狀，并一次創(chuàng)建多個(gè)波束，在納秒內(nèi)切換以確保網(wǎng)絡(luò)覆蓋保持穩(wěn)定。

RPL-10系列功能齊全， 額定輸出為10A。采用LGA-M封裝，尺寸僅為7×7mm，高度為4.4mm，輸入電壓范圍為4-16V，可編程輸出電壓為0.6-5.5V。模塊效率高達(dá)94%，根據(jù)輸入/輸出電壓組合的不同，滿載時(shí)的工作溫度高達(dá)90℃。

工作頻率范圍為600kHz-800kHz，脈沖跳躍模式可在輕負(fù)載時(shí)保持效率，并且可選擇恒定導(dǎo)通時(shí)間控制以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。

提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模塊和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器等碳化硅解決方案， 3.3kV MOSFET和SBD的加入使這一系列解決方案更加豐富。

Microchip的3.3kV碳化硅功率器件包括業(yè)界最低導(dǎo)通電阻為25毫歐（mOhm）的MOSFET和業(yè)界最高額定電流為90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸片或封裝形式。這些更強(qiáng)的性能水平能夠幫助設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，創(chuàng)建功率更高的系統(tǒng)，并使用更少的并聯(lián)元件來實(shí)現(xiàn)更小、更輕和更高效的電源解決方案。

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