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RISC-V矢量擴(kuò)展并具有專門針對(duì)AI加速器的快速數(shù)據(jù)耦合

發(fā)布時(shí)間:2024/4/26 0:27:29 訪問次數(shù):70

APXM-6200 CPU 是一款64位按序應(yīng)用處理器,其雙發(fā)11級(jí)指令流水線可為消費(fèi)和工業(yè)工作負(fù)載提供同類產(chǎn)品中最佳的性能密度。

客戶可根據(jù)自己的性能需求選擇單核、雙核和四核配置,并可通過每核功率控制實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率和緩存連貫性。由于支持RISC-V矢量擴(kuò)展并具有專門針對(duì)AI加速器的快速數(shù)據(jù)耦合,這款處理器能夠?yàn)锳I功能提供助力。

假定金屬導(dǎo)體是均質(zhì)的,其性能是線形和各向同性的,則線圈——金屬導(dǎo)體系統(tǒng)的磁導(dǎo)率u、電導(dǎo)率σ、尺寸因子r、線圈與金屬導(dǎo)體距離δ線圈激勵(lì)電流I和頻率ω等參數(shù)來描述。

RA0產(chǎn)品在工作模式下電流消耗僅為84.3μA/MHz,睡眠模式下僅為0.82mA。

此外,新款MCU中提供了軟件待機(jī)模式,可將功耗進(jìn)一步降低99%,達(dá)到0.2μA的極小值。配合快速喚醒高速片上振蕩器(HOCO),這款超低功耗MCU為電池供電的消費(fèi)電子設(shè)備、小家電、工業(yè)系統(tǒng)控制和樓宇自動(dòng)化應(yīng)用帶來理想解決方案。

另外,與其它HOCO不同的是,其在-40°C至105°C的環(huán)境中仍能保持這種精度,如此寬泛的溫度范圍讓客戶即使在回流焊工藝后也無需進(jìn)行昂貴且費(fèi)時(shí)的“微調(diào)”。

如果在磁場(chǎng)H1的范圍沒有金屬導(dǎo)體接近,則發(fā)射到這一范圍內(nèi)的能量都會(huì)被釋放;

反之,如果有金屬導(dǎo)體接近探頭頭部,則交變磁場(chǎng)H1將在導(dǎo)體的表面產(chǎn)生電渦流場(chǎng),該電渦流場(chǎng)也會(huì)產(chǎn)生一個(gè)方向與H1相反的交變磁場(chǎng)H2。

由于H2的反作用,就會(huì)改變探頭頭部線圈高頻電流的幅度和相位,即改變了線圈的有效阻抗。這種變化與電渦流效應(yīng)有關(guān),也與靜磁學(xué)效應(yīng)有關(guān)(與金屬導(dǎo)體的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、幾何形狀、線圈幾何參數(shù)、激勵(lì)電流頻率以及線圈到金屬導(dǎo)體的距離參數(shù)有關(guān))。


深圳市品德冠科技有限公司http://jzs66.51dzw.com

AM-6200 CPU 是一款64位按序應(yīng)用處理器,其雙發(fā)11級(jí)指令流水線可為消費(fèi)和工業(yè)工作負(fù)載提供同類產(chǎn)品中最佳的性能密度。

客戶可根據(jù)自己的性能需求選擇單核、雙核和四核配置,并可通過每核功率控制實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率和緩存連貫性。由于支持RISC-V矢量擴(kuò)展并具有專門針對(duì)AI加速器的快速數(shù)據(jù)耦合,這款處理器能夠?yàn)锳I功能提供助力。

假定金屬導(dǎo)體是均質(zhì)的,其性能是線形和各向同性的,則線圈——金屬導(dǎo)體系統(tǒng)的磁導(dǎo)率u、電導(dǎo)率σ、尺寸因子r、線圈與金屬導(dǎo)體距離δ線圈激勵(lì)電流I和頻率ω等參數(shù)來描述。

RA0產(chǎn)品在工作模式下電流消耗僅為84.3μA/MHz,睡眠模式下僅為0.82mA。

此外,新款MCU中提供了軟件待機(jī)模式,可將功耗進(jìn)一步降低99%,達(dá)到0.2μA的極小值。配合快速喚醒高速片上振蕩器(HOCO),這款超低功耗MCU為電池供電的消費(fèi)電子設(shè)備、小家電、工業(yè)系統(tǒng)控制和樓宇自動(dòng)化應(yīng)用帶來理想解決方案。

另外,與其它HOCO不同的是,其在-40°C至105°C的環(huán)境中仍能保持這種精度,如此寬泛的溫度范圍讓客戶即使在回流焊工藝后也無需進(jìn)行昂貴且費(fèi)時(shí)的“微調(diào)”。

如果在磁場(chǎng)H1的范圍沒有金屬導(dǎo)體接近,則發(fā)射到這一范圍內(nèi)的能量都會(huì)被釋放;

反之,如果有金屬導(dǎo)體接近探頭頭部,則交變磁場(chǎng)H1將在導(dǎo)體的表面產(chǎn)生電渦流場(chǎng),該電渦流場(chǎng)也會(huì)產(chǎn)生一個(gè)方向與H1相反的交變磁場(chǎng)H2。

由于H2的反作用,就會(huì)改變探頭頭部線圈高頻電流的幅度和相位,即改變了線圈的有效阻抗。這種變化與電渦流效應(yīng)有關(guān),也與靜磁學(xué)效應(yīng)有關(guān)(與金屬導(dǎo)體的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、幾何形狀、線圈幾何參數(shù)、激勵(lì)電流頻率以及線圈到金屬導(dǎo)體的距離參數(shù)有關(guān))。


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