保護(hù)電路免受電氣故障的影響有助于構(gòu)建安全且可靠性高的系統(tǒng)
發(fā)布時間:2024/5/2 19:19:11 訪問次數(shù):66
在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,圍繞自動駕駛(自動化)的技術(shù)創(chuàng)新日新月異,對安全性的要求也越來越高。在進(jìn)行設(shè)備開發(fā)時,必須考慮到如何在緊急情況下確保功能安全*2。
IPD不僅可以進(jìn)行電子電路的ON/OFF控制,還內(nèi)置有保護(hù)功能,可保護(hù)電路免受電氣故障(異常時的過電流)的影響,有助于構(gòu)建安全且可靠性高的系統(tǒng)。
另外,新產(chǎn)品的接觸放電耐受能力(表示對過電流浪涌的耐受能力)也高于普通產(chǎn)品,這將有助于各種設(shè)備的安全工作。
PCB設(shè)計有相同網(wǎng)絡(luò)間距、不同網(wǎng)絡(luò)的安全間距、其他、線寬都需要進(jìn)行設(shè)置,線寬和間距默認(rèn)都是6mil,間距默認(rèn)6mil即可,線寬最小值設(shè)置為6mil,建議值(默認(rèn)布線的寬度)設(shè)置為10mil,最大值設(shè)置為200mil。
具體設(shè)置根據(jù)板子布線的難易度設(shè)置。設(shè)置的線寬、間距還需要和PCB生產(chǎn)廠家事先協(xié)商好,因為有些廠家因為制程能力的問題不一定能做到設(shè)置的線寬和間距,而且線寬和間距越小,成本越高。
12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
新產(chǎn)品配置在電機(jī)和照明等被控設(shè)備的下側(cè)(接地側(cè))電路中,從電路結(jié)構(gòu)方面看,具有可輕松替代機(jī)械繼電器和MOSFET、易于設(shè)計的優(yōu)點(diǎn)。
為了順應(yīng)這一趨勢,R20x在緊湊的外殼設(shè)計中集成了飛行時間測量原理,將精確和穩(wěn)定可靠的遠(yuǎn)距離測量技術(shù)結(jié)合在一起,適用于空間非常有限的應(yīng)用領(lǐng)域。
它確保所有后續(xù)負(fù)載和穩(wěn)壓器的適當(dāng)供應(yīng),以確保不間斷運(yùn)行,即使在顯著的輸入電壓變化該設(shè)計展示了nvt81599控制器的功能,并在功率級中集成了四個NVTFS5C460NL 40V N-通道場效應(yīng)管。
http://canyijia.51dzw.com深圳市燦億佳電子科技有限公司
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另外,新產(chǎn)品的接觸放電耐受能力(表示對過電流浪涌的耐受能力)也高于普通產(chǎn)品,這將有助于各種設(shè)備的安全工作。
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具體設(shè)置根據(jù)板子布線的難易度設(shè)置。設(shè)置的線寬、間距還需要和PCB生產(chǎn)廠家事先協(xié)商好,因為有些廠家因為制程能力的問題不一定能做到設(shè)置的線寬和間距,而且線寬和間距越小,成本越高。
12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
新產(chǎn)品配置在電機(jī)和照明等被控設(shè)備的下側(cè)(接地側(cè))電路中,從電路結(jié)構(gòu)方面看,具有可輕松替代機(jī)械繼電器和MOSFET、易于設(shè)計的優(yōu)點(diǎn)。
為了順應(yīng)這一趨勢,R20x在緊湊的外殼設(shè)計中集成了飛行時間測量原理,將精確和穩(wěn)定可靠的遠(yuǎn)距離測量技術(shù)結(jié)合在一起,適用于空間非常有限的應(yīng)用領(lǐng)域。
它確保所有后續(xù)負(fù)載和穩(wěn)壓器的適當(dāng)供應(yīng),以確保不間斷運(yùn)行,即使在顯著的輸入電壓變化該設(shè)計展示了nvt81599控制器的功能,并在功率級中集成了四個NVTFS5C460NL 40V N-通道場效應(yīng)管。
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