MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。

例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書中提供。

一個(gè)功率MOSFET的組件級(jí)電容,一個(gè)功率MOSFET的組件級(jí)和電路級(jí)電容之間的關(guān)系。對(duì)BJT和IGBT器件也可以進(jìn)行類似的電容測(cè)量。

一是用示波觀察輸出波形是否正常；

二是用萬(wàn)用表的直流電壓擋測(cè)量振蕩三極管的Var電壓，如果Vee出現(xiàn)反偏電壓或小于正常放大時(shí)的數(shù)值，再用電容并正反饋信號(hào)交流短路到地端,若VBE電壓回升,則可驗(yàn)證電路已經(jīng)起振。

如果振蕩器不能正常振蕩，首先應(yīng)用萬(wàn)用表測(cè)量放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)，若靜態(tài)工作點(diǎn)異常,應(yīng)重點(diǎn)檢查放大電路的元器件有無(wú)損壞連接線是否開路.

升降壓型充電管理芯片+快充協(xié)議芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)，應(yīng)用設(shè)計(jì)及外圍比較復(fù)雜。

一顆內(nèi)置PD3.0/QC3.0快充協(xié)議升降壓型35W兩節(jié)鋰電充放電SOC芯片-M12229,輸入電壓3.3V-20V，最大充電電流5A，最大輸入/輸出功率35W，適用于雙節(jié)串聯(lián)大容量鋰電池的快速充電場(chǎng)合。

M12229 支持2串電芯(鋰電池及磷酸鐵鋰電池)，電芯規(guī)格支持 4.2V/4.25V/4.3V/4.4V/4.45V；芯片支持充電電流自適應(yīng)，最大充電電流5A，集成電池充放電管理模塊，內(nèi)置電池均衡控制，最大均衡電流 100mA，方便電池配對(duì)。