在高壓分立硅MOSFET市場的領導地位，特別是在1700 V以上。開發(fā)高達4700V的行業(yè)最高電壓阻斷能力,因此是1700V以上高壓分立Si mosfet的市場領導者。沒有其他制造商提供這種高壓水平的分立硅mosfet。

擁有堅固可靠的設備，具有競爭力的產(chǎn)品性能，專利包裝技術和領先的技術專長的產(chǎn)品組合使Littelfuse能夠成功地支持客戶開發(fā)苛刻的應用程序。

高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的廣泛采用，汽車攝像頭的性能也得到了顯著提升。

對于低諧波電流失真問題，AEA800F采用有源功率因數(shù)校正器（PFC）和在開關段采用最新一代功率半導體LLC諧振拓撲對電流失真問題進行處理，經(jīng)典效率高達95%。

AEA800F可以通過并聯(lián)獲得更大的功率，最多可六個單元并聯(lián)使用。并聯(lián)使用時，可以通過 “Master” 單元調節(jié)輸出電壓， “Slaves” 會自動整齊地將其輸出電壓調節(jié)為相等的值。

將繼續(xù)擴大產(chǎn)品組合，以滿足更廣泛的汽車應用對更高速度和更大容量變速器的需求。

AEA800F的輸入電壓為85-264VAC，適用于全球。它提供三種輸出電壓：24V、36V和48V，輸出額定電流分別為34A（峰值72.5A）、22.7A（峰值48.4A）和17A（峰值36.3A），還可以使用內(nèi)置電位計自行調節(jié)輸出電壓。

對于醫(yī)療應用，AEA800F輸入到輸出的隔離為2MOPP，輸入到地為1MOPP，輸出到地為1MOPP，因此適用于浮體（BF）應用。該產(chǎn)品已經(jīng)通過了ANSI/AAMI ES60601-1和第三版EN60601-1認證。

與當前一代AE4產(chǎn)品相比，用于IGBT的硅基AE5工藝可將功率損耗降低10%，這一節(jié)能技術將有助于EV開發(fā)人員節(jié)省電池電量并增加行駛里程。

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