TLVR變壓器不傳送電流直流部分不像在磁耦合電感中在相位之間抵消掉
發(fā)布時(shí)間:2024/6/11 23:08:28 訪問次數(shù):108
電感中的電流紋波是影響設(shè)計(jì)選擇的重要參數(shù):它影響效率和輸出電壓紋波,并間接關(guān)系到瞬態(tài)性能、解決方案尺寸和其他性能指標(biāo)。
另一個(gè)關(guān)鍵特性是瞬態(tài)條件下的電流擺率,這是瞬態(tài)性能的基本限制因素。通常,電流紋波(以及效率)和瞬態(tài)性能(直接影響輸出電容大小等因素)導(dǎo)致設(shè)計(jì)決策需要權(quán)衡。
TLVR的缺點(diǎn)是TLVR變壓器不能傳送電流的直流部分,因此直流電不會(huì)像在磁耦合電感中那樣在相位之間抵消掉。
為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化客戶的供應(yīng)鏈,支持OBC其他功能的關(guān)鍵技術(shù),包括通信接口、安全性、傳感器、存儲(chǔ)器和定時(shí)。
光刻是芯片制造技術(shù)的主要環(huán)節(jié)之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻機(jī)進(jìn)行的。然而193nm浸沒光刻技術(shù)很難支撐40nm以下的工藝生產(chǎn),因此到了22/20nm及以下工藝節(jié)點(diǎn),芯片廠商不得不將193nm液浸技術(shù)和各種多重成像技術(shù)結(jié)合起來使用,以便突破工藝極限。多重成像的手段就需要進(jìn)行多次光刻、蝕刻、淀積等流程,無形中提升了制造成本,拉長(zhǎng)了工藝周期。
分立電感(DL)的傳統(tǒng)多相降壓轉(zhuǎn)換器,為了實(shí)現(xiàn)較理想的波形交錯(cuò),假定所有相位之間都具有適當(dāng)?shù)南嘁。一種替代方案是用耦合電感(CL)代替DL。另一種替代方案稱為TLVR,其中調(diào)諧電感Lc會(huì)影響電流紋波和瞬態(tài)性能。
向分立電感添加次級(jí)繞組,并通過次級(jí)繞組的電氣連接來鏈接相位。
這種設(shè)計(jì)思路類似于耦合電感:對(duì)所有鏈接相位之間的交流波形進(jìn)行平均,以在特定瞬態(tài)擺率下獲得更好的電流紋波,但TLVR的有效耦合電感是有限的,因?yàn)楸仨毧紤]全部相電流。

電感中的電流紋波是影響設(shè)計(jì)選擇的重要參數(shù):它影響效率和輸出電壓紋波,并間接關(guān)系到瞬態(tài)性能、解決方案尺寸和其他性能指標(biāo)。
另一個(gè)關(guān)鍵特性是瞬態(tài)條件下的電流擺率,這是瞬態(tài)性能的基本限制因素。通常,電流紋波(以及效率)和瞬態(tài)性能(直接影響輸出電容大小等因素)導(dǎo)致設(shè)計(jì)決策需要權(quán)衡。
TLVR的缺點(diǎn)是TLVR變壓器不能傳送電流的直流部分,因此直流電不會(huì)像在磁耦合電感中那樣在相位之間抵消掉。
為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化客戶的供應(yīng)鏈,支持OBC其他功能的關(guān)鍵技術(shù),包括通信接口、安全性、傳感器、存儲(chǔ)器和定時(shí)。
光刻是芯片制造技術(shù)的主要環(huán)節(jié)之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻機(jī)進(jìn)行的。然而193nm浸沒光刻技術(shù)很難支撐40nm以下的工藝生產(chǎn),因此到了22/20nm及以下工藝節(jié)點(diǎn),芯片廠商不得不將193nm液浸技術(shù)和各種多重成像技術(shù)結(jié)合起來使用,以便突破工藝極限。多重成像的手段就需要進(jìn)行多次光刻、蝕刻、淀積等流程,無形中提升了制造成本,拉長(zhǎng)了工藝周期。
分立電感(DL)的傳統(tǒng)多相降壓轉(zhuǎn)換器,為了實(shí)現(xiàn)較理想的波形交錯(cuò),假定所有相位之間都具有適當(dāng)?shù)南嘁。一種替代方案是用耦合電感(CL)代替DL。另一種替代方案稱為TLVR,其中調(diào)諧電感Lc會(huì)影響電流紋波和瞬態(tài)性能。
向分立電感添加次級(jí)繞組,并通過次級(jí)繞組的電氣連接來鏈接相位。
這種設(shè)計(jì)思路類似于耦合電感:對(duì)所有鏈接相位之間的交流波形進(jìn)行平均,以在特定瞬態(tài)擺率下獲得更好的電流紋波,但TLVR的有效耦合電感是有限的,因?yàn)楸仨毧紤]全部相電流。

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