400萬次循環(huán)電場翻轉(zhuǎn)極化后電學(xué)曲線測量顯示鐵電極化仍未出現(xiàn)衰減
發(fā)布時間:2024/6/12 8:24:20 訪問次數(shù):54
傳統(tǒng)存儲芯片因鐵電材料存在讀寫次數(shù)限制,穩(wěn)定性隨使用時間推移而降低,這一問題長期制約著存儲芯片的進(jìn)一步研發(fā)和應(yīng)用。
實(shí)驗(yàn)表明,采用該材料制備的鐵電芯片器件在經(jīng)歷400萬次循環(huán)電場翻轉(zhuǎn)極化后,電學(xué)曲線測量顯示鐵電極化仍未出現(xiàn)衰減。
此項(xiàng)技術(shù)不僅極大提升了存儲芯片的可靠性和耐久性,還有助于降低成本,提升存儲密度,未來有望在航空航天、深海探測等極端環(huán)境應(yīng)用以及可穿戴設(shè)備、柔性電子技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
新型ICeGaN™P2系列IC RDS(on)低至25mΩ,支持多kW功率應(yīng)用,并提供超高效率。
在電機(jī)控制逆變器方面,開發(fā)人員正在使用GaN來減少熱量,獲得更小、更持久的系統(tǒng)功率。
以上兩個市場正是CGD ICeGaN功率IC現(xiàn)在的目標(biāo)市場。簡化的柵極驅(qū)動器設(shè)計和降低的系統(tǒng)成本,再加上先進(jìn)的高性能封裝,使P2系列IC成為這些應(yīng)用的絕佳選擇。
這種便攜、高效的口袋大小打印機(jī)將使工程師、醫(yī)生甚至急救人員等專業(yè)人士能夠隨時隨地打印所需的物品,無需依賴笨重的大型設(shè)備。
2nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的現(xiàn)有協(xié)議為基礎(chǔ),確立了2nm世代半導(dǎo)體芯片封裝量產(chǎn)技術(shù)合作伙伴關(guān)系。作為本合作伙伴關(guān)系的一部分,Rapidus的技術(shù)人員將在IBM北美的封裝制造研發(fā)基地進(jìn)行合作。
此外,電子保險絲改善了熔斷時間-電流特性,可變性更小,因而可以縮小電纜直徑、減輕重量并削減線束的制作成本。
深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com
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