創(chuàng)新的光子芯片技術(shù)能夠?qū)⒐馐珳?zhǔn)聚焦到樹脂槽中，當(dāng)特定波長(zhǎng)的光線照射到樹脂上時(shí)，樹脂迅速固化成形。

與傳統(tǒng)3D打印機(jī)依賴機(jī)械臂和電機(jī)來改變光束焦點(diǎn)的設(shè)計(jì)不同，這款芯片式打印機(jī)利用微型光學(xué)天線來操控光束，從而能夠在極小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精確打印，并且完全消除了移動(dòng)部件。

這項(xiàng)技術(shù)徹底改變了人們對(duì)3D打印機(jī)的傳統(tǒng)看法。它不再是實(shí)驗(yàn)室中的龐大機(jī)器，而是變成了可以手持和攜帶的設(shè)備。

ICeGaN功率IC集成了米勒箝位以消除高速開關(guān)過程中的擊穿損耗，并實(shí)現(xiàn)了0V關(guān)斷從而最大限度地減少反向?qū)〒p耗，其性能優(yōu)于分立eMode GaN和其他現(xiàn)有技術(shù)。

新的封裝提供了低至0.28K/W的改進(jìn)的熱阻性能，與市場(chǎng)上任何其他產(chǎn)品比較具有相當(dāng)或更加優(yōu)異的性能。其雙面DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）封裝的雙極引腳設(shè)計(jì)有助于優(yōu)化PCB布局和簡(jiǎn)單并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性，使客戶能夠輕松處理高達(dá)多kW的應(yīng)用。

經(jīng)過設(shè)計(jì)新型封裝不僅提高了產(chǎn)量，其側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，更便于光學(xué)檢查。

研究團(tuán)隊(duì)基于二維滑移鐵電機(jī)制，開發(fā)出一種新型的二維層狀滑移鐵電材料（3R-MoS2），該材料制備的存儲(chǔ)芯片有望突破讀寫次數(shù)限制，實(shí)現(xiàn)無限次讀寫。

該研究的核心在于利用"層間滑移"替代傳統(tǒng)鐵電材料的"離子移動(dòng)"，通過AI輔助的跨尺度原子模擬分析，揭示了二維滑移鐵電材料抗疲勞的微觀物理機(jī)制。

繼2nm半導(dǎo)體的共同開發(fā)之后，關(guān)于芯片封裝的技術(shù)確立也與IBM簽訂了伙伴關(guān)系，將最大限度地運(yùn)用這個(gè)國(guó)際合作，推進(jìn)日本在半導(dǎo)體封裝的供應(yīng)鏈上也能發(fā)揮比現(xiàn)在更重要的作用。

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