涂布在晶圓上形成10㎛以上厚膜將存儲器單元堆疊成垂直構(gòu)造
發(fā)布時間:2024/6/16 0:22:36 訪問次數(shù):93
光阻劑用在硅晶圓的曝光制程,與通過光罩的光作用形成電路圖形。曝光設(shè)備與材料依照曝光波長分為G-line、I-line、KrF、ArF與極紫外光(EUV)等多種方式,其中以極紫外光最為先進(jìn)。
在生產(chǎn)3D NAND Flash的KrF光阻劑,涂布在晶圓上時必須形成10㎛以上的厚膜,之后才能順利將存儲器單元(Cell)堆疊成垂直構(gòu)造。
高訊噪比(SNR)是必需的,在麥克風(fēng)用于更大的距離時支持清晰的性能,及用于通常更清晰的音頻擷取.特別是自動語音識別算法依賴高訊噪比以達(dá)到良好的文字準(zhǔn)確率。 現(xiàn)在需要訊噪比大于64db的ASIC,輔以MEMS工程師實現(xiàn)的進(jìn)展,以優(yōu)化換能器的特點。
由于不同工作頻率造成最小導(dǎo)通時間設(shè)置的困難;
由于雜散電感造成過早的同步整流關(guān)斷,導(dǎo)通損耗增加;
輕載條件下由于電容電流尖峰導(dǎo)致同步整流電流反向,最終對系統(tǒng)產(chǎn)生不良影響。
同步整流控制器FAN6248,優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器,完美地解決上述挑戰(zhàn),適用于高能效服務(wù)器和臺式電腦電源,大屏液晶電視及顯示器電源、網(wǎng)絡(luò)和電信電源、高功率密度適配器、高功率LED照明等等。
更希望在進(jìn)一步捕捉麥克風(fēng)的聲音時之余能保有好的音頻質(zhì)量。
因此,對微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)的需求越來越多,MEMS麥克風(fēng)在簡潔的外觀之余,同時提供高性能、保真度及可靠性,適用于攜帶式裝置。
為避免雜訊干擾,同步整流會定義最小導(dǎo)通時間,FAN6248有自適應(yīng)最小導(dǎo)通時間電路。
深圳市三得電子有限公司http://taixin168.51dzw.com
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在生產(chǎn)3D NAND Flash的KrF光阻劑,涂布在晶圓上時必須形成10㎛以上的厚膜,之后才能順利將存儲器單元(Cell)堆疊成垂直構(gòu)造。
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