高能效E系列超級結(jié)技術(shù)，10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.043Ω，超低柵極電荷下降到65nC。器件的FOM為2.8 Ω*nC，比同類接近的MOSFET競品器件低3.4%。SiHK045N60E有效輸出電容Co(er)為117pF，有助于改善開關(guān)性能。這些性能參數(shù)意味著降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而達(dá)到節(jié)能效果。

AL1788憑借>0.9的PFC以及較競爭產(chǎn)品低的待機(jī)功率，可使用外部MOSFET運(yùn)作為LED負(fù)載提供恒定電壓。高功率因數(shù)是通過恒定的定時操作來實(shí)現(xiàn)，而其準(zhǔn)共振模式谷值切換方法可大幅降低切換損耗，并提供優(yōu)異的EMI效能。LM2594MX-5.0/NOPB

電阻采用0402～1206的標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸，具有低至的±0.5%的公差和±25ppm/K的TCR。其他競爭器件在+70℃環(huán)境溫度下的典型功率等級為250mW，而1206外形尺寸的專業(yè)系列電阻在+85℃的功率等級高達(dá)400mW，提高了可靠性。

從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo)（FOM）。

升、降壓和逆變功能的直流-直流轉(zhuǎn)換器AL8812。這款器件集成了60V/3.6A的NMOS通道以滿足直流-直流控制器采用緊湊的雙帶散熱焊盤DFN6040-12封裝的基本功能，能夠減少M(fèi)R16 LED燈電路的波形因數(shù)。

如果編程器供電不穩(wěn)，超過了這個范圍，則很容易造成芯片的過壓損壞，座燒一般都是芯片直接由編程器供電，如果編程器供電不穩(wěn)，那燒錄芯片的良品率將大打折扣，造成電源管理芯片損壞。

全新CoolMOS™P7專為滿足小功率SMPS市場的需求而設(shè)計(jì)，具備出色的性能和易用性，而設(shè)計(jì)人員可以充分利用其經(jīng)過改進(jìn)的外形。該器件采用具有價格競爭力的超結(jié)技術(shù)，可為客戶削減物料成本（BOM）。

SOT-223封裝是DPAK封裝的經(jīng)濟(jì)型替代方案，在價格敏感的市場上已被廣泛接受。

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