散熱設計問題既能讓適配器保持涼爽又能在更小的尺寸中提供更高功率
發(fā)布時間:2024/6/30 19:25:16 訪問次數:79
低功耗氮化鎵(GaN)系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。
GaN場效應晶體管(FET)全系列產品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
AS7058的超低噪聲特性帶來120dB的超高光學信噪比。與競品相比，AS7058在心率、呼吸頻率、血氧飽和度（SpO2）和血壓等參數的PPG測量性能方面有了大幅改善。LM2594MX-5.0/NOPB
單通道數字D類放大器可以放置在電路板上的遠程位置, 以最大限度地減少大電流電池和揚聲器負載連接的布線。
超低反向工作電壓(VRWM)的低功耗瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)，AOZ8S207BLS-01，旨在提供超低的寄生電容和快速的響應時間。基于AOS先進的超低擊穿電壓(VBR)TVS平臺和創(chuàng)新型封裝，這款TVS二極管可提供卓越的高速數據接口保護。
除此之外，AOZ8S207BLS-01 0.15pf的超低寄生電容能最大限度保證高速數據信號完整性，使其成為USB4和Thunderbolt 4接口靜電放電(ESD)保護的理想選擇。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
低功耗氮化鎵(GaN)系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。
GaN場效應晶體管(FET)全系列產品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
AS7058的超低噪聲特性帶來120dB的超高光學信噪比。與競品相比，AS7058在心率、呼吸頻率、血氧飽和度（SpO2）和血壓等參數的PPG測量性能方面有了大幅改善。LM2594MX-5.0/NOPB
單通道數字D類放大器可以放置在電路板上的遠程位置, 以最大限度地減少大電流電池和揚聲器負載連接的布線。
超低反向工作電壓(VRWM)的低功耗瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)，AOZ8S207BLS-01，旨在提供超低的寄生電容和快速的響應時間。基于AOS先進的超低擊穿電壓(VBR)TVS平臺和創(chuàng)新型封裝，這款TVS二極管可提供卓越的高速數據接口保護。
除此之外，AOZ8S207BLS-01 0.15pf的超低寄生電容能最大限度保證高速數據信號完整性，使其成為USB4和Thunderbolt 4接口靜電放電(ESD)保護的理想選擇。
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