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柵極電荷Qg可以通過測(cè)量柵極充電時(shí)間和相應(yīng)的柵極電壓變化來計(jì)算

發(fā)布時(shí)間:2024/7/5 9:03:43 訪問次數(shù):447

柵極電荷Qg是MOSFET和IGBT等開關(guān)器件的一個(gè)重要特性參數(shù),它表示使柵極電壓從0升到特定值(如10V)所需的電荷量。

相反,較小的柵極電荷值意味著開關(guān)損耗較小,可以實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度。

在實(shí)際應(yīng)用中,柵極電荷Qg可以通過測(cè)量柵極充電時(shí)間和相應(yīng)的柵極電壓變化來計(jì)算。例如,在10V的柵極電壓下,通過測(cè)量VGS從0V到10V的充電時(shí)間可以計(jì)算出Qg值。此外,Qg值還受到柵源電壓的影響,使用更低的Vgs可以減少開關(guān)損耗。


MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。

計(jì)算正弦交流電路最常用的方法是相量法。運(yùn)用這一方法,可以將電路的微分方程組變換成相應(yīng)的復(fù)數(shù)的線性代數(shù)方程組,使求解的工作大為簡(jiǎn)化。

同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。

交流電路是指電源的電動(dòng)勢(shì)隨時(shí)間作周期性變化,使得電路中的電壓、電流也隨時(shí)間作周期性變化,這種電路叫做交流電路。如果電路中的電動(dòng)勢(shì)電壓、電流隨時(shí)間作簡(jiǎn)諧變化,該電路就叫簡(jiǎn)諧交流電路或正弦交流電路,簡(jiǎn)稱正弦電路。

這個(gè)參數(shù)的單位是庫侖(C)。柵極電荷的大小直接影響開關(guān)器件的開關(guān)損耗,因?yàn)榭倴艠O電荷值較大時(shí),導(dǎo)通MOSFET所需的電容充電時(shí)間變長(zhǎng),從而導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。

這類設(shè)計(jì)在保持穩(wěn)定性方設(shè)計(jì)難度較高,因?yàn)檩敵黾?jí)的阻抗較大,較易不穩(wěn)定或起振。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司

柵極電荷Qg是MOSFET和IGBT等開關(guān)器件的一個(gè)重要特性參數(shù),它表示使柵極電壓從0升到特定值(如10V)所需的電荷量。

相反,較小的柵極電荷值意味著開關(guān)損耗較小,可以實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度。

在實(shí)際應(yīng)用中,柵極電荷Qg可以通過測(cè)量柵極充電時(shí)間和相應(yīng)的柵極電壓變化來計(jì)算。例如,在10V的柵極電壓下,通過測(cè)量VGS從0V到10V的充電時(shí)間可以計(jì)算出Qg值。此外,Qg值還受到柵源電壓的影響,使用更低的Vgs可以減少開關(guān)損耗。


MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。

計(jì)算正弦交流電路最常用的方法是相量法。運(yùn)用這一方法,可以將電路的微分方程組變換成相應(yīng)的復(fù)數(shù)的線性代數(shù)方程組,使求解的工作大為簡(jiǎn)化。

同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。

交流電路是指電源的電動(dòng)勢(shì)隨時(shí)間作周期性變化,使得電路中的電壓、電流也隨時(shí)間作周期性變化,這種電路叫做交流電路。如果電路中的電動(dòng)勢(shì)電壓、電流隨時(shí)間作簡(jiǎn)諧變化,該電路就叫簡(jiǎn)諧交流電路或正弦交流電路,簡(jiǎn)稱正弦電路。

這個(gè)參數(shù)的單位是庫侖(C)。柵極電荷的大小直接影響開關(guān)器件的開關(guān)損耗,因?yàn)榭倴艠O電荷值較大時(shí),導(dǎo)通MOSFET所需的電容充電時(shí)間變長(zhǎng),從而導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。

這類設(shè)計(jì)在保持穩(wěn)定性方設(shè)計(jì)難度較高,因?yàn)檩敵黾?jí)的阻抗較大,較易不穩(wěn)定或起振。

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