在受到光照后所產(chǎn)生光電子只在物體內(nèi)部運(yùn)動(dòng)不會(huì)逸出物體的現(xiàn)象

發(fā)布時(shí)間:2024/7/9 19:35:04 訪問(wèn)次數(shù):157

在光線作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象稱為外光電效應(yīng)。向外發(fā)射的電子叫光電子�；谕夤怆娦�(yīng)的光電器件有光電管、光電倍增管（Photo-Multiple Tube，PMT）等。

內(nèi)光電效應(yīng)是指物體在受到光照后所產(chǎn)生的光電子只在物體內(nèi)部運(yùn)動(dòng)，而不會(huì)逸出物體的現(xiàn)象。

內(nèi)光電效應(yīng)多發(fā)生于半導(dǎo)體內(nèi)，可分為因光照引起半導(dǎo)體電阻率變化的光電效應(yīng)（某些半導(dǎo)體材料在入射光能量的激發(fā)下產(chǎn)生電子-空穴對(duì)）和因光照產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的光生伏特效應(yīng)兩種。常見(jiàn)的內(nèi)光電效應(yīng)類光電器件如光敏電阻、光敏管、光電池、光電耦合器等。

8GB宇航級(jí)DDR4存儲(chǔ)器，作為其太空邊緣計(jì)算解決方案的一部分。該公告是在所有內(nèi)部去風(fēng)險(xiǎn)化活動(dòng)（包括輻射/栓鎖效應(yīng)測(cè)試和初步工業(yè)化檢查）圓滿結(jié)束之后發(fā)布的。

隨著對(duì)小巧、高密度存儲(chǔ)器的需求激增，Teledyne e2v強(qiáng)調(diào)其最新的存儲(chǔ)器芯片能與當(dāng)下所有高端太空處理組件兼容，其中包括AMD/Xilinx VERSAL®ACAP處理器、宇航級(jí)FPGA、MPSOC、RT PolarFire®以及眾多的ASIC。

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很多應(yīng)用不需要嚴(yán)格的公差和交流極化，但需要較大的電容值。它們通常用作各種電源中的濾波裝置，以減少電壓紋波。

如果信號(hào)是具有弱交流分量的直流信號(hào)，它們還可以用作低通濾波器，用于輸入和輸出平滑。但是，電解電容器不適用于大振幅和高頻信號(hào)，因?yàn)榧纳鷥?nèi)部電阻（稱為等效串聯(lián)電阻(ESR)）會(huì)耗散功率。在此類應(yīng)用中，必須使用低ESR電容器來(lái)減少損耗并避免過(guò)熱。

一個(gè)實(shí)際的例子是使用電解電容器作為音頻放大器中的濾波器，其主要目的是減少電源嗡嗡聲。電源嗡嗡聲是由電源引起的50Hz或60Hz電噪聲，如果放大，則可以聽(tīng)到。