雙極MOS管它的結(jié)構(gòu)由源極漏極門極和兩層金屬氧化物層組成
發(fā)布時間:2024/7/10 0:45:04 訪問次數(shù):108
MOS管是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管,它的工作原理是通過控制門電壓來控制通過源極和漏極的電流。
MOS管可以根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點分為兩大類:一類是普通MOS管,它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成;另一類是雙極MOS管,它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和兩層金屬氧化物層組成。
斷線或零線錯接成相線等使電路電壓升高時,取樣電路次級電壓也隨之升高,光電耦合器滿足工作條件,光耦輸出電流增大,使VT管偏置電壓升高并飽和導(dǎo)通,執(zhí)行機(jī)構(gòu)繼電器動作吸合,切斷電源進(jìn)而達(dá)到保護(hù)電器的目的。
復(fù)位脈沖發(fā)出后,主機(jī)重新將DQ置為高電平(即釋放總線)并等待15~60μs,之后檢測從機(jī)是否發(fā)出了“存在脈沖”。若檢測到“存在脈沖”則開始通信,否則不通信。
主機(jī)發(fā)出復(fù)位脈沖并釋放總線時,總線上產(chǎn)生上升沿。從機(jī)(此處指DS18B20)檢測到該上升沿后,等待15~60μs再將總線DQ引腳置為低電平,并保持60~240μs。如圖6-21所示,這個持續(xù)60~240μs的低電平即是從機(jī)發(fā)出的“存在脈沖”。
TTL與CMOS轉(zhuǎn)換法是在不同的電平之間轉(zhuǎn)換的一種方法。TTL和CMOS屬于不同的信號電平標(biāo)準(zhǔn),TTL的高電平標(biāo)準(zhǔn)為2.4V,而CMOS的高電平標(biāo)準(zhǔn)為5V。通過電平轉(zhuǎn)換器將TTL的信號轉(zhuǎn)換為CMOS的信號,可以方便地進(jìn)行信號的傳輸。
MOS管是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管,它的工作原理是通過控制門電壓來控制通過源極和漏極的電流。
MOS管可以根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點分為兩大類:一類是普通MOS管,它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成;另一類是雙極MOS管,它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和兩層金屬氧化物層組成。
斷線或零線錯接成相線等使電路電壓升高時,取樣電路次級電壓也隨之升高,光電耦合器滿足工作條件,光耦輸出電流增大,使VT管偏置電壓升高并飽和導(dǎo)通,執(zhí)行機(jī)構(gòu)繼電器動作吸合,切斷電源進(jìn)而達(dá)到保護(hù)電器的目的。
復(fù)位脈沖發(fā)出后,主機(jī)重新將DQ置為高電平(即釋放總線)并等待15~60μs,之后檢測從機(jī)是否發(fā)出了“存在脈沖”。若檢測到“存在脈沖”則開始通信,否則不通信。
主機(jī)發(fā)出復(fù)位脈沖并釋放總線時,總線上產(chǎn)生上升沿。從機(jī)(此處指DS18B20)檢測到該上升沿后,等待15~60μs再將總線DQ引腳置為低電平,并保持60~240μs。如圖6-21所示,這個持續(xù)60~240μs的低電平即是從機(jī)發(fā)出的“存在脈沖”。
TTL與CMOS轉(zhuǎn)換法是在不同的電平之間轉(zhuǎn)換的一種方法。TTL和CMOS屬于不同的信號電平標(biāo)準(zhǔn),TTL的高電平標(biāo)準(zhǔn)為2.4V,而CMOS的高電平標(biāo)準(zhǔn)為5V。通過電平轉(zhuǎn)換器將TTL的信號轉(zhuǎn)換為CMOS的信號,可以方便地進(jìn)行信號的傳輸。
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