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絕緣柵雙極晶體管無法滿足需求實現(xiàn)最高頻率為20KHz大功率開關(guān)

發(fā)布時間:2024/7/14 11:00:00 訪問次數(shù):680

雷達與視覺傳感器技術(shù)共同構(gòu)成了實現(xiàn)ADAS和AD用例所需的核心感知基礎(chǔ)。

雷達以其強大的天氣適應(yīng)能力、對各種照明條件的高度適應(yīng)性以及良好的成本效益,在所有ADAS系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。相較于現(xiàn)有的解決方案,更深層次地挖掘雷達數(shù)據(jù)能夠為ADAS系統(tǒng)帶來性能和用戶體驗的顯著提升。

這類雷達處理器的應(yīng)用范圍極廣,因為它允許客戶輸出點云或雷達對象。雷達橋的位置靈活,可以與中央電子控制單元(ECU)中的視覺處理器或區(qū)域ECU中的區(qū)域控制器并置。

低電感電機有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。

它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關(guān)頻率(50-100kHz)來維持所需的紋波電流。

然而,使用標(biāo)準(zhǔn)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無法滿足這些需求,因為它們只能實現(xiàn)最高頻率為20KHz的大功率開關(guān)。

當(dāng)采用硅MOSFET工作于這些頻率時產(chǎn)生的損耗較大,這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。

LM258DR

MOSFET和IGBT能夠達到的最高開關(guān)頻率受到限制通過使用寬禁帶開關(guān)器件可能能夠突破這些限制。

減少電機驅(qū)動器中的死區(qū)時間對于提高效率至關(guān)重要。通過最小化死區(qū)時間,可以減少失真,從而實現(xiàn)更平滑的電流波形和更低的損耗。這最終會提高電機效率和整體系統(tǒng)性能。

分布式雷達架構(gòu)通過對傳感器數(shù)據(jù)進行區(qū)域或集中處理,提供了一種高級的傳感器管理和數(shù)據(jù)融合方法,這對于激發(fā)下一代雷達傳感器的潛在性能至關(guān)重要。正如前文提到,雷達橋能在區(qū)域或中央計算平臺上處理和融合雷達傳感器數(shù)據(jù),并且能與視覺感知數(shù)據(jù)進行進一步的整合。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司

雷達與視覺傳感器技術(shù)共同構(gòu)成了實現(xiàn)ADAS和AD用例所需的核心感知基礎(chǔ)。

雷達以其強大的天氣適應(yīng)能力、對各種照明條件的高度適應(yīng)性以及良好的成本效益,在所有ADAS系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。相較于現(xiàn)有的解決方案,更深層次地挖掘雷達數(shù)據(jù)能夠為ADAS系統(tǒng)帶來性能和用戶體驗的顯著提升。

這類雷達處理器的應(yīng)用范圍極廣,因為它允許客戶輸出點云或雷達對象。雷達橋的位置靈活,可以與中央電子控制單元(ECU)中的視覺處理器或區(qū)域ECU中的區(qū)域控制器并置。

低電感電機有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。

它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關(guān)頻率(50-100kHz)來維持所需的紋波電流。

然而,使用標(biāo)準(zhǔn)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無法滿足這些需求,因為它們只能實現(xiàn)最高頻率為20KHz的大功率開關(guān)。

當(dāng)采用硅MOSFET工作于這些頻率時產(chǎn)生的損耗較大,這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。

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MOSFET和IGBT能夠達到的最高開關(guān)頻率受到限制通過使用寬禁帶開關(guān)器件可能能夠突破這些限制。

減少電機驅(qū)動器中的死區(qū)時間對于提高效率至關(guān)重要。通過最小化死區(qū)時間,可以減少失真,從而實現(xiàn)更平滑的電流波形和更低的損耗。這最終會提高電機效率和整體系統(tǒng)性能。

分布式雷達架構(gòu)通過對傳感器數(shù)據(jù)進行區(qū)域或集中處理,提供了一種高級的傳感器管理和數(shù)據(jù)融合方法,這對于激發(fā)下一代雷達傳感器的潛在性能至關(guān)重要。正如前文提到,雷達橋能在區(qū)域或中央計算平臺上處理和融合雷達傳感器數(shù)據(jù),并且能與視覺感知數(shù)據(jù)進行進一步的整合。

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