硅MOSFET體二極管從而消除了與硅器件相關的反向恢復電荷
發(fā)布時間:2024/7/14 10:46:19 訪問次數(shù):115
隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及，白色家電和工業(yè)設備的自動化進程加速，使得產(chǎn)品的功耗不斷增加，為了有效利用有限的地球資源和電力，對進一步降低功耗的需求不斷提高，與此同時，對于負責功率轉換工作的功率半導體之一IGBT以及配備了IGBT的模塊，也提出了進一步降低功耗的要求。
另一方面，在IGBT IPM的開發(fā)中，為了降低功耗通常會優(yōu)先考慮低損耗，致使產(chǎn)品噪聲特性惡化的情況較多，這就需要改善噪聲特性。
在這種情況下，新開發(fā)出四款可同時降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。
GaN能夠為電機驅動應用實現(xiàn)更好的死區(qū)時間優(yōu)化：
與硅MOSFET相比，GaN FET具有更快的開關速度。這允許對死區(qū)時間進行更精確的控制，因為GaN FET的關斷和開啟時間明顯更短。這種更快的開關速度允許對死區(qū)時間進行更嚴格的控制。
與硅MOSFET相比，GaN FET具有更低的柵極電容。這意味著它們可以更快地打開和關閉，從而縮短死區(qū)時間，而不會產(chǎn)生擊穿電流的風險。這可以實現(xiàn)更高效的運行，并更好地優(yōu)化電機驅動應用中的死區(qū)時間。
GaN FET沒有像硅MOSFET那樣的體二極管，從而消除了與硅器件相關的反向恢復電荷。這減少了電機驅動應用中所需的有效死區(qū)時間，因為無需考慮體二極管的恢復時間。
控制死區(qū)時間由控制器插入，可確保正有效死區(qū)時間。計算此死區(qū)時間是一個復雜的過程，需要考慮傳播延遲、柵極電阻值和FET開啟/關閉時間等因素。由于GaN器件沒有體二極管反向恢復且開關時間更快，因此與硅MOSFET相比，GaN器件的死區(qū)時間更短。
這些電流不會產(chǎn)生任何有用的扭矩，但會導致電機繞組損耗增加，整體效率降低。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
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另一方面，在IGBT IPM的開發(fā)中，為了降低功耗通常會優(yōu)先考慮低損耗，致使產(chǎn)品噪聲特性惡化的情況較多，這就需要改善噪聲特性。
在這種情況下，新開發(fā)出四款可同時降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。
GaN能夠為電機驅動應用實現(xiàn)更好的死區(qū)時間優(yōu)化：
與硅MOSFET相比，GaN FET具有更快的開關速度。這允許對死區(qū)時間進行更精確的控制，因為GaN FET的關斷和開啟時間明顯更短。這種更快的開關速度允許對死區(qū)時間進行更嚴格的控制。
與硅MOSFET相比，GaN FET具有更低的柵極電容。這意味著它們可以更快地打開和關閉，從而縮短死區(qū)時間，而不會產(chǎn)生擊穿電流的風險。這可以實現(xiàn)更高效的運行，并更好地優(yōu)化電機驅動應用中的死區(qū)時間。
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控制死區(qū)時間由控制器插入，可確保正有效死區(qū)時間。計算此死區(qū)時間是一個復雜的過程，需要考慮傳播延遲、柵極電阻值和FET開啟/關閉時間等因素。由于GaN器件沒有體二極管反向恢復且開關時間更快，因此與硅MOSFET相比，GaN器件的死區(qū)時間更短。
這些電流不會產(chǎn)生任何有用的扭矩，但會導致電機繞組損耗增加，整體效率降低。
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