當(dāng)MISFET中的柵極電壓超過(guò)正V th時(shí)，柵極界面下方會(huì)形成電子積累層，從而恢復(fù)2DEG導(dǎo)電通道的完整性，從而使器件可以打開(kāi)。

當(dāng)引腳焊點(diǎn)的焊錫熔化后，將大小合適的注射器針頭套在該引腳上并旋轉(zhuǎn)，讓集成電路的引腳與印制電路板焊錫銅箔脫離，然后將烙鐵頭移開(kāi)，稍后拔出注射器針頭，這樣集成電路的一個(gè)引腳就與印制電路板銅箔脫離開(kāi)來(lái)，再用同樣的方法將集成電路其他引腳與電路板銅箔脫離，就能將該集成電路從電路板上拔下來(lái)。

XC4VFX60-11FFG672I

在電力工程中，三相電力系統(tǒng)至少包含三個(gè)承載交流電壓的導(dǎo)體，該交變電壓會(huì)在三分之一周期時(shí)出現(xiàn)偏移（每個(gè)相均設(shè)置為相同的頻率和電壓振幅，但各相會(huì)偏移120°，從而在電氣循環(huán)期間實(shí)現(xiàn)恒定的功率傳輸）。

三相電源線濾波器對(duì)于變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和機(jī)床等應(yīng)用，三相濾波器能夠減少電磁敏感性傳導(dǎo)區(qū)域內(nèi)不必要的電磁干擾（EMI）噪聲。其工作頻率范圍約為47-400Hz。

MISFET的一種變體是部分凹陷柵極金屬絕緣體半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MISHFET)。

金屬絕緣體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MISFET)通過(guò)局部等離子蝕刻工藝完全去除柵極下方的AlGaN阻擋層，從而實(shí)現(xiàn)e模式操作，使器件在零柵極電壓下關(guān)閉。

該技術(shù)將化學(xué)反應(yīng)和離子誘導(dǎo)蝕刻結(jié)合在一起，而離子通量的獨(dú)立控制可以實(shí)現(xiàn)高度靈活性。

由于等離子體的照射時(shí)間較長(zhǎng)，等離子體中的紫外線會(huì)對(duì)半導(dǎo)體表面造成嚴(yán)重?fù)p壞。表面損傷反過(guò)來(lái)會(huì)導(dǎo)致漏電流增加、V th不穩(wěn)定和電流崩塌（動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻增加）。干原子層蝕刻 (ALE) 是一種可在蝕刻后提供高質(zhì)量界面的替代蝕刻方法。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司