當(dāng)使用MOSFET驅(qū)動(dòng)由上下橋臂構(gòu)成的H橋、三相逆變器或類似的電路時(shí)，上橋臂和下橋臂的電源必須彼此隔離。

驅(qū)動(dòng)MOSFET的下臂的電源可以共用。因此,H橋需要三個(gè)電源，而三相橋需要四個(gè)電源。

電荷泵由振蕩電路、二極管和電容組成。電荷泵每一級(jí)提升的電壓存儲(chǔ)在電容器中。

當(dāng)MOSFET由上下橋臂構(gòu)成時(shí)，點(diǎn)荷泵可用于驅(qū)動(dòng)高邊。與自舉電路不同，電荷泵對(duì)輸出器件的占空比沒(méi)有任何限制。

PCA82C250與AT89C55的硬件連接比MAX485與AT89C55的硬件連接還要簡(jiǎn)單，因?yàn)�，PCA82C250的通信過(guò)程無(wú)需接收與發(fā)送的硬件轉(zhuǎn)換控制，僅由軟件來(lái)控制接浮時(shí)，CAN總線表現(xiàn)為“隱性”位數(shù)值，即CANH和CANL為懸浮態(tài)(VCAHN≈CANL≈VCC/2，相當(dāng)于關(guān)閉總線)，這為具有“休眠”功能的系統(tǒng)提供了網(wǎng)絡(luò)安全保障。

顯然，在多主機(jī)條件下，“顯性”位和“隱性”位的引入，可在總線上實(shí)現(xiàn)非破壞性總線仲裁，以裁決哪一個(gè)主設(shè)備應(yīng)是下一個(gè)占有總線的設(shè)備。CC2541F256RHAR

由二極管和電容器組成的自舉電路可以用來(lái)代替浮地電源。當(dāng)MOSFET由逆變器或類似電路的上臂和下臂驅(qū)動(dòng)時(shí)，可以在每個(gè)相中使用自舉電容C，而不是浮置電源。

最初，必須接通下臂中的器件以通過(guò)虛線的路徑從下臂的電源對(duì)電容C充電。下臂MOSFET每次導(dǎo)通時(shí)，電容C通過(guò)該路徑充電。

由于上臂器件的占空比與電容C上存儲(chǔ)的電荷量有一定的關(guān)系，因此上臂的占空比存在限制。與輸出電壓的情況一樣，上臂的柵極電壓波動(dòng)使其對(duì)噪聲敏感。因此，在設(shè)計(jì)上臂門電路時(shí)應(yīng)謹(jǐn)慎。

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