1MB閃存消除對(duì)外部處理器需求降低了復(fù)雜性節(jié)省空間和成本
發(fā)布時(shí)間:2024/7/15 20:02:02 訪問次數(shù):50
模塊采用緊湊型設(shè)計(jì)，尺寸僅為15.6mmx8.7mmx2mm，且使用符合藍(lán)牙®MESH規(guī)范協(xié)議棧的藍(lán)牙5.0，是智慧城市基礎(chǔ)設(shè)施中物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、工業(yè)mesh網(wǎng)絡(luò)或工業(yè)4.0環(huán)境中機(jī)器人應(yīng)用的理想選擇：
Cortex®M4F處理器、256kB RAM和內(nèi)置1MB閃存消除了對(duì)外部處理器的需求，從而降低了復(fù)雜性，并節(jié)省了空間和成本。
PAN1780模塊的藍(lán)牙®5.0功能可通過高速LE 2M PHY實(shí)現(xiàn)2Mbps的更高符號(hào)速率，且還能通過500kb/s或125kb/s的LE編碼PHY支持更遠(yuǎn)的傳輸距離。
全凹陷MIS柵極GaN功率晶體管比p-GaN HEMT具有更寬的柵極電壓擺幅、更高的柵極可靠性和更低的柵極漏電流。
要充分發(fā)揮凹槽柵極方法的所有優(yōu)勢(shì)，還有許多挑戰(zhàn)需要解決。MISFET會(huì)受到凹槽區(qū)域粗糙表面和電活性缺陷的影響，導(dǎo)致通道遷移率下降。因此，優(yōu)化絕緣體和AlGaN/GaN之間的界面以限度地減少界面捕獲狀態(tài)并增強(qiáng)電流流動(dòng)非常重要�？刂平^緣體電荷也至關(guān)重要。
利用高電平有效輸出驅(qū)動(dòng)P溝道MOSFET非常簡(jiǎn)單，對(duì)于開漏拓?fù)鋪碚f尤為如此。
電壓鉗位元件對(duì)于固態(tài)斷路器(SSCB)和混合斷路器(HCB)來說都是必不可少的，以保護(hù)固態(tài)開關(guān)免受過電壓損壞并吸收系統(tǒng)環(huán)路電感中的剩余能量。
本文從工作電壓范圍、浪涌電流能力、能量吸收能力、成本等方面比較了各種電壓鉗位元件（例如金屬氧化物壓敏電阻[MOV]、瞬態(tài)電壓抑制[TVS]二極管、基于電容器的緩沖電路等）。
SSCB具有極快的故障隔離和斷流而不產(chǎn)生電弧的優(yōu)點(diǎn)。由于功率半導(dǎo)體器件（如碳化硅(SiC) MOSFET）的進(jìn)步，SSCB 越來越受歡迎，這些器件可大大降低傳導(dǎo)損耗。HCB通過將機(jī)械開關(guān)和固態(tài)開關(guān)集成在一起，具有傳導(dǎo)損耗和斷流速度相對(duì)較快的優(yōu)點(diǎn)。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
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全凹陷MIS柵極GaN功率晶體管比p-GaN HEMT具有更寬的柵極電壓擺幅、更高的柵極可靠性和更低的柵極漏電流。
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電壓鉗位元件對(duì)于固態(tài)斷路器(SSCB)和混合斷路器(HCB)來說都是必不可少的，以保護(hù)固態(tài)開關(guān)免受過電壓損壞并吸收系統(tǒng)環(huán)路電感中的剩余能量。
本文從工作電壓范圍、浪涌電流能力、能量吸收能力、成本等方面比較了各種電壓鉗位元件（例如金屬氧化物壓敏電阻[MOV]、瞬態(tài)電壓抑制[TVS]二極管、基于電容器的緩沖電路等）。
SSCB具有極快的故障隔離和斷流而不產(chǎn)生電弧的優(yōu)點(diǎn)。由于功率半導(dǎo)體器件（如碳化硅(SiC) MOSFET）的進(jìn)步，SSCB 越來越受歡迎，這些器件可大大降低傳導(dǎo)損耗。HCB通過將機(jī)械開關(guān)和固態(tài)開關(guān)集成在一起，具有傳導(dǎo)損耗和斷流速度相對(duì)較快的優(yōu)點(diǎn)。
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