大動態(tài)輸出信號400mW單聲道高性能音頻驅(qū)動芯片為電路板便攜設(shè)備
發(fā)布時(shí)間:2024/7/19 9:02:59 訪問次數(shù):92
IU8202T可向16Ω負(fù)載提供高達(dá)400mW輸出功率,THD+N僅為0.006%。217Hz時(shí)具有86dB的高電源抑制比(允許該器件工作在嘈雜的數(shù)字電源,無需額外的線性穩(wěn)壓器件)。精巧的咔嗒聲抑制電路消除了啟動與關(guān)斷過程中的可聞噪聲。低功耗關(guān)斷控制,可以在混聽模式有效的節(jié)省能源。
專用的電流感測引腳能精確監(jiān)測模擬電流輸出,并為電池短路,接地短路和開路負(fù)載檢測提供故障指示。
超低靜態(tài)功耗1.3mA,有效延長了OWS耳機(jī)的待機(jī)時(shí)間;采用DFN1.6X1.6_8L小封裝,非常適用于OWS耳機(jī),智能手表等可穿戴電子設(shè)備。
IU8202T工作電壓范圍在2.5~5.5V, 待機(jī)時(shí)僅消耗1.3mA電源電流, 具有短路保護(hù)與熱過載保護(hù).IU8202T封裝形式為DFN1.6X1.6_8L,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
IU8202T是一款支持差分輸入,支持大動態(tài)輸出信號400mW單聲道高性能音頻驅(qū)動芯片,專為電路板空間有限的便攜設(shè)備而設(shè)計(jì).IU8202T具有極低的靜態(tài)功耗以及極低的底噪。
SC5000CS在5000萬像素手機(jī)圖像傳感器賽道布局的又一全新力作。
SC5000CS能為主流智能手機(jī)影像系統(tǒng)帶來高品質(zhì)影像捕捉,推動移動影像再升級。
多通道12-bit ADC,用以量測電壓、溫度等信號,另提供一組20/40倍OPA,可降低電流偵測電阻的電阻值,提高轉(zhuǎn)換效率,增加電流判斷精準(zhǔn)度。
搭配Holtek的充電器開發(fā)平臺,僅需簡單選取充電電壓/電流等規(guī)格,即可產(chǎn)生含有標(biāo)準(zhǔn)鋰電池/鉛酸電池充電流程的程序,加速產(chǎn)品開發(fā)。
這款一站式解決方案可在云端或本地運(yùn)行,搭載了來自卓越提供商的圖形處理單元(GPUs),具有極其快速的互聯(lián)和增強(qiáng)型Cadence高保真CFD軟件堆棧,針對GPU加速和生成式AI經(jīng)過優(yōu)化。
IU8202T可向16Ω負(fù)載提供高達(dá)400mW輸出功率,THD+N僅為0.006%。217Hz時(shí)具有86dB的高電源抑制比(允許該器件工作在嘈雜的數(shù)字電源,無需額外的線性穩(wěn)壓器件)。精巧的咔嗒聲抑制電路消除了啟動與關(guān)斷過程中的可聞噪聲。低功耗關(guān)斷控制,可以在混聽模式有效的節(jié)省能源。
專用的電流感測引腳能精確監(jiān)測模擬電流輸出,并為電池短路,接地短路和開路負(fù)載檢測提供故障指示。
超低靜態(tài)功耗1.3mA,有效延長了OWS耳機(jī)的待機(jī)時(shí)間;采用DFN1.6X1.6_8L小封裝,非常適用于OWS耳機(jī),智能手表等可穿戴電子設(shè)備。
IU8202T工作電壓范圍在2.5~5.5V, 待機(jī)時(shí)僅消耗1.3mA電源電流, 具有短路保護(hù)與熱過載保護(hù).IU8202T封裝形式為DFN1.6X1.6_8L,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。
IU8202T是一款支持差分輸入,支持大動態(tài)輸出信號400mW單聲道高性能音頻驅(qū)動芯片,專為電路板空間有限的便攜設(shè)備而設(shè)計(jì).IU8202T具有極低的靜態(tài)功耗以及極低的底噪。
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SC5000CS能為主流智能手機(jī)影像系統(tǒng)帶來高品質(zhì)影像捕捉,推動移動影像再升級。
多通道12-bit ADC,用以量測電壓、溫度等信號,另提供一組20/40倍OPA,可降低電流偵測電阻的電阻值,提高轉(zhuǎn)換效率,增加電流判斷精準(zhǔn)度。
搭配Holtek的充電器開發(fā)平臺,僅需簡單選取充電電壓/電流等規(guī)格,即可產(chǎn)生含有標(biāo)準(zhǔn)鋰電池/鉛酸電池充電流程的程序,加速產(chǎn)品開發(fā)。
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熱門點(diǎn)擊
- 以465kHz為中心一定帶寬內(nèi)信號才能在回路
- TDA7056A要求有一定的輸出功率因此要加
- 轉(zhuǎn)塔式和大型平行系統(tǒng)一般不適用于這種類型的元
- 當(dāng)RS上的電阻大于0.75CC時(shí)PCA82C
- 熱電阻傳導(dǎo)進(jìn)測溫電路通過電源耦合進(jìn)信號鏈中造
- 在FPGA開發(fā)板上進(jìn)行驗(yàn)證和調(diào)試確保DDR3
- 充電距離延長高達(dá)50%為使用成本更低的線圈和
- GSO場景大時(shí)延及多普勒效應(yīng)和LEO場景動態(tài)
- 晶圓的表面鈍化層用于保護(hù)晶圓表面電路不受外界
- 隨著溫度升高超過140°C時(shí)電阻器可能會損壞
推薦技術(shù)資料
- Seeed Studio
- Seeed Studio紿我們的印象總是和繪畫脫離不了... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
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