單個PCB上有多達(dá)96個MOSFET，小型化器件封裝尺寸的解決方案極具吸引力。

這些器件的一個關(guān)鍵功能是通過限制浪涌電流來保護(hù)PoE端口，同時(shí)安全地管理故障情況。為了應(yīng)對這種情況，Nexperia將這些器件的安全工作區(qū)(SOA)增強(qiáng)了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。

產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%.XC4VFX40-10FF1152I

ADC的關(guān)鍵指標(biāo)包括：

靜態(tài)參數(shù)：DNL微分非線性、INL 積分非線性

動態(tài)參數(shù)：SNR信噪比、ENOB有效位數(shù)、THD總諧波失真、SFDR 無雜散動態(tài)范圍.

該系列為1005尺寸 (1.0×0.5×0.7毫米-長x寬x高)，電感范圍從1.0nH至56nH。

用于汽車或基礎(chǔ)設(shè)施的高頻電路電感器必須滿足更高的安全性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，基于AEC-Q200設(shè)計(jì)。

測試ADC芯片的SNDR無雜散動態(tài)范圍、THD總諧波失真及ENOB有效比特位數(shù)等指標(biāo)，一般需要通過信號發(fā)生器產(chǎn)生純凈的正弦波信號，輸入到ADC中進(jìn)行采樣，得到的樣本數(shù)據(jù)經(jīng)過PC端的數(shù)據(jù)處理，得到動態(tài)頻譜特性.

為此，Nexperia發(fā)布了采用2mmx2mm DFN2020封裝的100V PoE ASFET，與以前采用LFPAK33封裝的版本相比，占用的空間減少了60%。

模塊可以取代多達(dá)四個分立式SiC FET，從而簡化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。

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