開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備電容將開關(guān)速度從而影響效率

發(fā)布時間:2024/7/22 0:06:34 訪問次數(shù):104

兩個線圈對稱地繞制在同一個鐵氧體環(huán)形磁芯上，線圈的繞制方向相反。

這種結(jié)構(gòu)使得共模電感能夠區(qū)分共模電流和差模電流，并對其進(jìn)行不同的處理。

當(dāng)電路中的正常電流（即差模電流）流經(jīng)共模電感時，由于兩個線圈的繞制方向相反，它們產(chǎn)生的磁場會相互抵消，因此正常信號電流可以無衰減地通過。

而當(dāng)有共模電流流經(jīng)線圈時，由于共模電流的同向性，兩個線圈中產(chǎn)生的磁場會相互疊加，使得線圈呈現(xiàn)高阻抗，從而抑制共模電流。

射頻射頻CMOS工藝使得芯片具備較低的功耗和高度集成的特點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗和高性能的無線通信。

數(shù)字信號處理技術(shù)則為芯片提供了高速的信號處理和調(diào)度能力，能夠?qū)崿F(xiàn)高速、可靠的數(shù)據(jù)傳輸。

有多個型號，根據(jù)頻段的不同可以分為2.4GHz型號和868/915MHz型號。2.4GHz型號適用于需要高速、短距離通信的場景，如傳感器網(wǎng)絡(luò)。868/915MHz型號適用于需要遠(yuǎn)距離、低功耗通信的場景，如智能家居和工業(yè)自動化。

基于射頻射頻CMOS工藝和數(shù)字信號處理技術(shù),包括工作頻率、通信速率、發(fā)射功率、接收靈敏度等。

MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。

三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待：組件和電路。

在組件上查看電容涉及到表征每個設(shè)備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如，說明了一個功率MOSFET的組件級電容。