快速DDR4存儲(chǔ)器是現(xiàn)代數(shù)據(jù)密集型衛(wèi)星系統(tǒng)的關(guān)鍵資源。作為4 GB宇航級(jí)DDR4的補(bǔ)充，新的8 GB版本在同樣小巧和管腳兼容的外形尺寸之下將存儲(chǔ)密度提高了一倍。

除此之外，憑借特定的溫度等級(jí)和NASA 1級(jí)的質(zhì)量認(rèn)證，Teledyne e2v可提供最堅(jiān)固耐用、用途最廣泛的宇航級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

從外觀來看，8GB版本與之前4 GB版本的尺寸（即15mmx20mmx1.92mm）一致，即存儲(chǔ)密度加倍但仍保持引腳兼容性。此外，該存儲(chǔ)器還支持2400 MT/s的傳輸速率。

輻射F-RAM存儲(chǔ)器的目標(biāo)應(yīng)用包括傳感器與儀器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄、適用于數(shù)據(jù)加密的安全密鑰存儲(chǔ)，以及啟動(dòng)代碼存儲(chǔ)等。

與SPI版本一樣，并行接口F-RAM存儲(chǔ)器通過其化學(xué)成分獲得了出色的非易失性存儲(chǔ)器特性，例如用原子態(tài)瞬時(shí)切換取代了EEPROM技術(shù)中的捕獲電荷至程序位。

F-RAM本身不受軟錯(cuò)誤、磁場(chǎng)或輻射效應(yīng)影響，且無需軟件來管理頁(yè)面邊界。其接近無限的耐用性（1013個(gè)寫入周期）意味著不需要損耗均衡。

如果用戶每周充三次電，每次充電都可以提升11公里的行駛里程，一年下來行駛里程可以提升約1600公里。在UCC5880-Q1中，設(shè)計(jì)了可實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的功能，可以讓用戶在系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)，在5A到20A的范圍內(nèi)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電流。

在此基礎(chǔ)上，這款器件還符合ISO 26262功能安全設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，可以支持設(shè)計(jì)人員更快速、更安全、更高效地設(shè)計(jì)牽引逆變器系統(tǒng)。

XC4VFX40-10FF1152I

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