20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。

與30納米級MLC NAND相比，Samsung的20納米級 MLC NAND提高50%的生產(chǎn)水平�；�20納米級、8GB和更高密度、SD卡的寫入性能比30納米級 NAND提高30%，器件提供10級額定速度（讀取速度為20MB/s，寫入速度為10MB/s）。

通過采用尖端工藝、設(shè)計和控制器技術(shù)，與30納米級NAND相比，Samsung還獲得安全可靠的性能。

新的8 GB DDR4存儲器具有超過60 MeV.cm²/mg的單粒子鎖定（SEL）免疫功能。而且，它的目標總電離劑量（TID）是100 krad，SEU/SEE測試超過60 MeV.cm²/mg。

這是因為UCC5880-Q1驅(qū)動器通過更低的系統(tǒng)成本，以及對驅(qū)動能力的實時調(diào)節(jié)，可以將逆變器系統(tǒng)效率提升最大約2%，從而延長電動汽車行駛里程。

除外太空應用，這款存儲器還適用于航空電子等應用的溫度要求（-55°C至125°C）。

新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™PCM，其寫入速度有望達到現(xiàn)有閃存的300倍，耐寫次數(shù)達到10倍。

新產(chǎn)品包括支持串行外設(shè)接口（SPI）的存儲器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存儲器(Omneo™ P8P PCM)。兩種接口產(chǎn)品都充利用新的PCM的技術(shù)優(yōu)勢，同時兼容工業(yè)標準的串行接口和并行接口。

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