出腳和串行EEPROM保持連續(xù)性使得進(jìn)行升級設(shè)計上實現(xiàn)節(jié)省設(shè)計時間

發(fā)布時間:2024/7/23 22:55:38 訪問次數(shù):67

雙數(shù)據(jù)速率3(DDR3)器件和模塊給業(yè)界一流的PC工業(yè)開發(fā)商.

這種下一代存儲器產(chǎn)品的速率是當(dāng)今最高速度存儲器產(chǎn)品的兩倍.首個配備了DDR3存儲器技術(shù)的計算機(jī)系統(tǒng)將問世.

Infineon DDR3 SDRAM元件的容量從256Mb到8Gb.開始的容量,最重要的512Mb和1Gb,接著是2Gb,最后是4Gb.

標(biāo)準(zhǔn)JEDEC模塊的DDR3容量將從256MB到高達(dá)8GB,以滿足特殊應(yīng)用如服務(wù)器的需求.

高速低電壓SPI標(biāo)準(zhǔn)出腳的串行閃存存儲器M25PE,用于數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲.

M25PE的容量有1Mb,2Mb 和4Mb,它的主要優(yōu)點是出腳和串行EEPROM保持連續(xù)性,使得靈活地進(jìn)行升級,這就是說設(shè)計上容易實現(xiàn),節(jié)省了設(shè)計時間.

M25PE系列提供高度靈活性,256字節(jié)頁寫入的精細(xì)粒度,使得快速變化的數(shù)據(jù)能以最小的系統(tǒng)開銷來存儲,快速讀出吞吐量,區(qū)塊(64KB)擦除,及靈活的命令架構(gòu),使得下一代有豐富特性的電子設(shè)備有最佳成本.

提供頂部扇區(qū)(64KB)的硬件保護(hù)和其它特性如專用的器件簽名,塊擦除(Bulk Erase)指令和特殊寫入保護(hù).

無鉛表面封裝(SMT, Surface Mount Technology)的半圓形LED，它采用最優(yōu)化的無色無散射透鏡，以窄8度幅射模式(半值角)實現(xiàn)高強(qiáng)度照明。

沒有其它準(zhǔn)直光學(xué)器件，安裝在相機(jī)中的這些LED在所有工作環(huán)境以及某一故障發(fā)生時都能符合IEC/EN 60825-1 (2001) Class 1的護(hù)眼要求。XC4VFX40-10FF1152I

ASMT-FJ10芯片采用鋁銦鎵磷化物(AlInGaP)材料技術(shù)，在高達(dá)50mA的驅(qū)動電流范圍內(nèi)提供非常高的發(fā)光率。這款模具封裝技術(shù)與無鉛紅外線回流焊接工藝兼容.

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