快速的dV/dt可以減少電流和電壓的重疊進(jìn)而降低關(guān)斷損耗
發(fā)布時(shí)間:2024/7/27 8:51:39 訪問(wèn)次數(shù):108
機(jī)器視覺(jué)利用攝像頭從環(huán)境中收集視覺(jué)數(shù)據(jù),然后通過(guò)硬件和軟件聯(lián)合處理這些數(shù)據(jù),將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為適合各種應(yīng)用的格式。機(jī)器視覺(jué)技術(shù)經(jīng)常采用專(zhuān)門(mén)的光學(xué)元件來(lái)捕獲圖像,以便對(duì)圖像的特定方面進(jìn)行處理、分析和量化。LM13700M/NOPB
在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域,機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)可以監(jiān)測(cè)農(nóng)作物健康狀況,并實(shí)現(xiàn)收割過(guò)程的自動(dòng)化。
此外,在零售業(yè),機(jī)器視覺(jué)可以促進(jìn)自動(dòng)結(jié)賬系統(tǒng)的應(yīng)用,改善客戶體驗(yàn)和運(yùn)營(yíng)效率。因此,機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)功能強(qiáng)大,應(yīng)用廣泛,已成為現(xiàn)代科技不可或缺的一部分。
從12V向48V電源系統(tǒng)的遷移似乎并沒(méi)有想象得那么快。
一方面,這是汽車(chē)行業(yè)特性決定的,任何一個(gè)技術(shù)的導(dǎo)入,在汽車(chē)行業(yè)都要經(jīng)歷更為漫長(zhǎng)的測(cè)試和驗(yàn)證過(guò)程。
另一方面,技術(shù)升級(jí)的經(jīng)濟(jì)性和可行性也很重要,因?yàn)榻?jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展,從上游的元器件到下游的車(chē)載設(shè)備,12V電源系統(tǒng)已經(jīng)形成了一個(gè)完整的技術(shù)生態(tài),想要完成替代,要考慮到原有研發(fā)和供應(yīng)鏈體系的平滑過(guò)渡。

Qorvo SiC FET還通過(guò)其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),進(jìn)一步優(yōu)化了開(kāi)關(guān)性能。
平面SiC MOSFET在第三象限導(dǎo)通時(shí),體二極管壓降較高,例如,在零偏置情況下傳導(dǎo)30A電流時(shí),壓降約為4.8V。
快速的dV/dt可以減少電流和電壓的重疊,進(jìn)而降低關(guān)斷損耗。當(dāng)使用緩沖器控制電壓尖峰和振鈴時(shí),這種效果尤為明顯。緩沖器可以幫助限制電壓的上升速度,同時(shí)允許更小的柵極電阻,這有利于降低開(kāi)關(guān)損耗。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
機(jī)器視覺(jué)利用攝像頭從環(huán)境中收集視覺(jué)數(shù)據(jù),然后通過(guò)硬件和軟件聯(lián)合處理這些數(shù)據(jù),將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為適合各種應(yīng)用的格式。機(jī)器視覺(jué)技術(shù)經(jīng)常采用專(zhuān)門(mén)的光學(xué)元件來(lái)捕獲圖像,以便對(duì)圖像的特定方面進(jìn)行處理、分析和量化。LM13700M/NOPB
在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域,機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)可以監(jiān)測(cè)農(nóng)作物健康狀況,并實(shí)現(xiàn)收割過(guò)程的自動(dòng)化。
此外,在零售業(yè),機(jī)器視覺(jué)可以促進(jìn)自動(dòng)結(jié)賬系統(tǒng)的應(yīng)用,改善客戶體驗(yàn)和運(yùn)營(yíng)效率。因此,機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)功能強(qiáng)大,應(yīng)用廣泛,已成為現(xiàn)代科技不可或缺的一部分。
從12V向48V電源系統(tǒng)的遷移似乎并沒(méi)有想象得那么快。
一方面,這是汽車(chē)行業(yè)特性決定的,任何一個(gè)技術(shù)的導(dǎo)入,在汽車(chē)行業(yè)都要經(jīng)歷更為漫長(zhǎng)的測(cè)試和驗(yàn)證過(guò)程。
另一方面,技術(shù)升級(jí)的經(jīng)濟(jì)性和可行性也很重要,因?yàn)榻?jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展,從上游的元器件到下游的車(chē)載設(shè)備,12V電源系統(tǒng)已經(jīng)形成了一個(gè)完整的技術(shù)生態(tài),想要完成替代,要考慮到原有研發(fā)和供應(yīng)鏈體系的平滑過(guò)渡。

Qorvo SiC FET還通過(guò)其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),進(jìn)一步優(yōu)化了開(kāi)關(guān)性能。
平面SiC MOSFET在第三象限導(dǎo)通時(shí),體二極管壓降較高,例如,在零偏置情況下傳導(dǎo)30A電流時(shí),壓降約為4.8V。
快速的dV/dt可以減少電流和電壓的重疊,進(jìn)而降低關(guān)斷損耗。當(dāng)使用緩沖器控制電壓尖峰和振鈴時(shí),這種效果尤為明顯。緩沖器可以幫助限制電壓的上升速度,同時(shí)允許更小的柵極電阻,這有利于降低開(kāi)關(guān)損耗。
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