低導通電阻和體二極管反向壓降JFET方式帶來了更低的傳導損耗
發(fā)布時間:2024/7/29 20:53:47 訪問次數(shù):71
一款符合車規(guī)標準的碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型D2PAK-7L封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ導通電阻RDS(on)。
這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動汽車動力總成設計人員提供先進、高效解決方案的承諾,以助力其應對獨特的車輛動力挑戰(zhàn)。
SiC FET的效率取決于傳導損耗;得益于業(yè)界卓越的低導通電阻和體二極管反向壓降,Qorvo的共源共柵結構/JFET方式帶來了更低的傳導損耗。
CMS M多級迷你真空發(fā)生器是COVAL研究的成果,旨在為在惡劣工業(yè)環(huán)境中處理多孔零件、排空罐體或隨機抓取等應用提供強大而耐用的解決方案。
由于其超緊湊的設計和優(yōu)化的多級Venturi系統(tǒng),這些發(fā)生器可保證高達550 Nl/min的強力吸氣流量,同時在緊湊的空間內(nèi)減少壓縮空氣消耗。
柔性印刷線路板雖常用于電池互連系統(tǒng)內(nèi),但卻是電池互連系統(tǒng)的最大成本來源。
采用FDC技術進行柔性線路板生產(chǎn),符合我們想要通過創(chuàng)新來為電動汽車行業(yè)打造可持續(xù)電池價值鏈的愿景,我們努力推動ENNOVI提供一種能夠完美平衡電池制造商在成本、時間和性能方面迫切需求的CCS設計解決方案,從而幫助電池制造商實現(xiàn)按成本設計。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
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