輸出控制信號以調(diào)整MOSFET的柵極電壓實(shí)現(xiàn)對電流的精確控制
發(fā)布時(shí)間:2024/8/6 8:45:30 訪問次數(shù):201
在模擬電路設(shè)計(jì)中,運(yùn)算放大器(運(yùn)放)的性能往往決定了整個(gè)電路的性能。
LT1028是一款超低噪聲、精密型的高速運(yùn)算放大器,其特點(diǎn)在于具有極低的電壓噪聲和出色的高速規(guī)格指標(biāo)。在1kHz時(shí),其電壓噪聲僅為1.1nV/√Hz(最大值)和0.85nV/√Hz(典型值),這使得LT1028在低噪聲應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
此外,LT1028的增益帶寬積為75MHz,轉(zhuǎn)換速率為11V/μs(最小值),這些指標(biāo)均表明LT1028是一款高性能的運(yùn)放。
運(yùn)算放大器的性能參數(shù)(包括Vos)可能隨溫度的變化而變化。因此,在測試過程中應(yīng)控制環(huán)境溫度的穩(wěn)定性,并在測試報(bào)告中注明測試時(shí)的環(huán)境溫度。
數(shù)字電路或數(shù)字集成電路是由許多的邏輯門組成的復(fù)雜電路。與模擬電路相比,它主要進(jìn)行數(shù)字信號的處理(即信號以0與1兩個(gè)狀態(tài)表示),因此抗干擾能力較強(qiáng)。
設(shè)計(jì)一個(gè)主反饋支路,該支路包含基準(zhǔn)電壓源、運(yùn)算放大器、MOSFET和RSET電阻。通過調(diào)整RSET電阻的值,可以設(shè)定主反饋支路的電流大小。
運(yùn)算放大器用于將基準(zhǔn)電壓與反饋電壓進(jìn)行比較,并輸出控制信號以調(diào)整MOSFET的柵極電壓,從而實(shí)現(xiàn)對電流的精確控制。
在主反饋支路的基礎(chǔ)上,構(gòu)建多個(gè)電流鏡支路。每個(gè)電流鏡支路都包含一個(gè)MOSFET和一個(gè)RSET電阻。通過合理設(shè)計(jì)電流鏡的結(jié)構(gòu)和參數(shù),可以確保各支路的電流與主反饋支路的電流保持一定的比例關(guān)系。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
在模擬電路設(shè)計(jì)中,運(yùn)算放大器(運(yùn)放)的性能往往決定了整個(gè)電路的性能。
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此外,LT1028的增益帶寬積為75MHz,轉(zhuǎn)換速率為11V/μs(最小值),這些指標(biāo)均表明LT1028是一款高性能的運(yùn)放。
運(yùn)算放大器的性能參數(shù)(包括Vos)可能隨溫度的變化而變化。因此,在測試過程中應(yīng)控制環(huán)境溫度的穩(wěn)定性,并在測試報(bào)告中注明測試時(shí)的環(huán)境溫度。
數(shù)字電路或數(shù)字集成電路是由許多的邏輯門組成的復(fù)雜電路。與模擬電路相比,它主要進(jìn)行數(shù)字信號的處理(即信號以0與1兩個(gè)狀態(tài)表示),因此抗干擾能力較強(qiáng)。
設(shè)計(jì)一個(gè)主反饋支路,該支路包含基準(zhǔn)電壓源、運(yùn)算放大器、MOSFET和RSET電阻。通過調(diào)整RSET電阻的值,可以設(shè)定主反饋支路的電流大小。
運(yùn)算放大器用于將基準(zhǔn)電壓與反饋電壓進(jìn)行比較,并輸出控制信號以調(diào)整MOSFET的柵極電壓,從而實(shí)現(xiàn)對電流的精確控制。
在主反饋支路的基礎(chǔ)上,構(gòu)建多個(gè)電流鏡支路。每個(gè)電流鏡支路都包含一個(gè)MOSFET和一個(gè)RSET電阻。通過合理設(shè)計(jì)電流鏡的結(jié)構(gòu)和參數(shù),可以確保各支路的電流與主反饋支路的電流保持一定的比例關(guān)系。
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熱門點(diǎn)擊
- 5mA至50mA輸入控制電流范圍集成快速關(guān)斷
- 柵極電壓必須比源極電壓低并且差值需至少等于M
- 對已判定為損壞元器件先將其引腳剪斷再拆除可以
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