在半導(dǎo)體制造過程中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是一項(xiàng)至關(guān)重要的技術(shù)。CMP技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展使得制造更小、更復(fù)雜的芯片成為可能。在單晶硅片的制造過程中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)在前半制程中扮演著至關(guān)重要的角色，并且需要多次應(yīng)用。

相較于傳統(tǒng)的機(jī)械拋光方法，CMP技術(shù)不僅能夠?qū)崿F(xiàn)硅片表面的更高平整度，還因其較低的成本和簡(jiǎn)便的操作流程，已經(jīng)發(fā)展成為目前半導(dǎo)體材料表面平整處理的主流技術(shù)。

CYW20829具有出色的射頻性能、靈活的API和優(yōu)秀的長(zhǎng)距離特性，為商業(yè)照明、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。

1270 和1280系列雙導(dǎo)軌AC浪涌保護(hù)器(SPD)。該款SPD系列符合IEC/EN 61643-11標(biāo)準(zhǔn)Class I+Class II/T1+T2，并且1280型號(hào)具備先進(jìn)的熱斷路器(TD+)，提供強(qiáng)化的保護(hù)，無需上游過電流保護(hù)且均配備窗口故障指示器和遠(yuǎn)程警報(bào)，以幫助監(jiān)控浪涌保護(hù)器的運(yùn)行情況。

SPD專為應(yīng)對(duì)持續(xù)過電壓和浪涌條件下的熱失控風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì)，這可能會(huì)引發(fā)火災(zāi)危險(xiǎn)。

1270和1280系列的功能和性能使它們非常適合各種能源儲(chǔ)存應(yīng)用，如電動(dòng)汽車充電站、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)（BESS）以及綠色光伏和風(fēng)能系統(tǒng)。

芯片制造是一個(gè)高度復(fù)雜的過程，分為設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試三個(gè)主要階段。

晶圓制造尤為關(guān)鍵，涉及熱處理、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等多個(gè)環(huán)節(jié)。整個(gè)過程可能持續(xù)6至8周，包含300多個(gè)步驟，有些步驟可能重復(fù)數(shù)百次。CMP工藝在其中非常重要，CMP材料的成本占晶圓制造總成本的7%。

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