開創(chuàng)性飛躍使SDG1000X Plus成為工程師生成信號時更加不可或缺工具
發(fā)布時間:2024/8/23 13:29:47 訪問次數(shù):103
SDG1000X Plus任意波形發(fā)生器采用創(chuàng)新的TrueArb技術(shù)，可以兼顧DDS技術(shù)的簡單靈活和逐點輸出技術(shù)對信號原始信息的保留。應(yīng)用Easypulse技術(shù)，能夠生成高質(zhì)量，低抖動的方波。能夠便捷輸出最高40Mbps的PRBS碼型。支持多脈沖輸出，助力功率器件雙脈沖測試。
SDG1000X Plus系列具有16-bit高垂直分辨率，最高60MHz輸出頻率，20V輸出幅度，1GSa/s采樣率，8Mpts任意波點數(shù)，這些開創(chuàng)性的飛躍使SDG1000X Plus成為工程師生成信號時更加不可或缺的工具。
集成電路可在數(shù)米長的簡單的非屏蔽雙絞線電纜（UTP）上建立2 Mbit/s和低延遲的菊花鏈連接。
60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術(shù)設(shè)計達到優(yōu)異性能和效率。
此系列 MOSFET專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低RDS(ON)和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。
新系列MOSFET提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA和TO-220AB-L。
此外，這些MOSFET還適用于工業(yè)電力系統(tǒng)，擴展了其應(yīng)用范圍和實用性。
因此，這些模塊可以在不使用反激二極管的情況下驅(qū)動繼電器線圈，或者使用隔離屏障防止繼電器線圈電流回流到機箱背板�？偟膩碚f，這些模塊提供了適用外部或內(nèi)部電源的靈活性，以及高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動能力，以滿足對負載能力的不同要求。
多種封裝可適用于各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)的高效設(shè)計方案。其可承受的結(jié)溫高達 175°C，表現(xiàn)出極強的耐用性和可靠性，且通過AEC-Q101認證。
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司http://jhbdt1.51dzw.com
SDG1000X Plus任意波形發(fā)生器采用創(chuàng)新的TrueArb技術(shù)，可以兼顧DDS技術(shù)的簡單靈活和逐點輸出技術(shù)對信號原始信息的保留。應(yīng)用Easypulse技術(shù)，能夠生成高質(zhì)量，低抖動的方波。能夠便捷輸出最高40Mbps的PRBS碼型。支持多脈沖輸出，助力功率器件雙脈沖測試。
SDG1000X Plus系列具有16-bit高垂直分辨率，最高60MHz輸出頻率，20V輸出幅度，1GSa/s采樣率，8Mpts任意波點數(shù)，這些開創(chuàng)性的飛躍使SDG1000X Plus成為工程師生成信號時更加不可或缺的工具。
集成電路可在數(shù)米長的簡單的非屏蔽雙絞線電纜（UTP）上建立2 Mbit/s和低延遲的菊花鏈連接。
60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術(shù)設(shè)計達到優(yōu)異性能和效率。
此系列 MOSFET專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低RDS(ON)和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。
新系列MOSFET提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA和TO-220AB-L。
此外，這些MOSFET還適用于工業(yè)電力系統(tǒng)，擴展了其應(yīng)用范圍和實用性。
因此，這些模塊可以在不使用反激二極管的情況下驅(qū)動繼電器線圈，或者使用隔離屏障防止繼電器線圈電流回流到機箱背板�？偟膩碚f，這些模塊提供了適用外部或內(nèi)部電源的靈活性，以及高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動能力，以滿足對負載能力的不同要求。
多種封裝可適用于各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)的高效設(shè)計方案。其可承受的結(jié)溫高達 175°C，表現(xiàn)出極強的耐用性和可靠性，且通過AEC-Q101認證。
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司http://jhbdt1.51dzw.com
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