在10V電壓下，600V CoolMOS™8 SJ MOSFET的柵極電荷（Qg）較CFD7降低了18%，較 P7降低了33%。在400V電壓下，該產(chǎn)品系列的輸出電容COSS較CFD7和P7降低了50%，關(guān)斷損耗（Eoss） 較CFD7和P7降低了12%，反向恢復(fù)電荷（Qrr）較CFD7降低了3%。

此外，這些器件的反向恢復(fù)時間（trr）更短，熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。

由于優(yōu)化了RDS(on)，這些半導(dǎo)體器件擁有更高的功率密度，能使采用硅基超級結(jié)（SJ）技術(shù)的產(chǎn)品降低到7mΩ的個位數(shù)值。

16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性。

此外，D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI ³ 600的塑封料，確保電壓升高時優(yōu)異的絕緣性能。

器件具有高可靠性，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試。

串行接口主要應(yīng)用了差分信號傳輸技術(shù)，具有功耗低、抗干擾強，速度快的特點，諸如PCI Express（PCIe）Gen4等串行鏈路接口的數(shù)據(jù)傳輸率將達(dá)到雙位千兆級傳輸速率。

由此，器件建模、互連建模和分析方法必須不斷發(fā)展，以應(yīng)對不斷減小的設(shè)計余量和當(dāng)今工程師面臨的更具挑戰(zhàn)的合規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

為了降低風(fēng)險并優(yōu)化設(shè)計，將分析盡可能地推向上游至關(guān)重要，以實現(xiàn)權(quán)衡、可行性研究、元件選擇和約束獲取。

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